[发明专利]FDSOI源漏外延生长方法在审
| 申请号： | 202210394301.1 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899143A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 岳双强;汪韬;李妍;辻直树 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fdsoi 外延 生长 方法 | ||
1.一种FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，按现有工艺制造FDSOI直至沉积第一层隔离侧墙；
S2，刻蚀去除绝缘体硅顶部和栅极顶部的第一层隔离侧墙，保留栅极两侧的第一层隔离侧墙；
S3，绝缘体硅顶部生长硅外延，打开沟槽窗口；
S4，NMOS源漏区域第一材料外延生长；
S5，PMOS源漏区域第二材料外延生长，锗硅生长前清洗后所剩余的锗硅层厚度大于PMOS源漏外延生长所需要厚度的最小值；
S6，刻蚀去除第一层隔离侧墙底部旁的外延硅。
2.如权利要求1所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：所述第一材料为硅或锗硅，所述第二材料为锗硅。
3.如权利要求1所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：第一层隔离侧墙是氮化硅隔离侧墙。
4.如权利要求3所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：实施步骤S4时，沉积硬掩膜层覆盖PMOS区域，生长硅外延，刻蚀工艺形成NMOS源漏区域，去除硬掩膜层。
5.如权利要求4所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：所述硬掩膜层是氮化硅或氮氧化硅层。
6.如权利要求3所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：实施步骤S5时，沉积硬掩膜层覆盖NMOS区域，执行清洗，生长锗硅外延，刻蚀工艺形成PMOS源漏区域，去除硬掩膜层。
7.如权利要求6所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：所述硬掩膜层是氮化硅或氮氧化硅层。
8.如权利要求1所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：实施步骤S6时，采用工艺所能达到的最短时间blanket刻蚀去除侧壁底部旁边的外延硅。
9.如权利要求1-8任意一项所述FDSOI源漏外延生长方法，其特征在于：其用于45nm、40nm、32nm、28nm、22nm、20nm或小于16nmFDSOI制作工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
