[发明专利]一种导电材料的微纳级别修饰方法

权利要求书

1.一种导电材料的微纳级别修饰方法，其特征在于，包括：

步骤1、采用离子溅射法、蒸镀法、气相沉积法射法或电镀法在导电载体上镀上纳米材料膜，得到镀膜导电载体；

步骤2、将所述镀膜导电载体通过物理方法转移至导电材料上，使得所述镀膜导电载体的纳米材料修饰在所述导电材料上，得到修饰后导电材料；其中，所述物理方法包括机械剥离转移、接触转移、脉冲接触转移或静电场吸附转移。

2.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述导电材料的材质选自钨、铁、钴、镍、钛、铜、钽、铪、铂、铼、钪、钒、铬、锰、锆和金中的一种或多种；

所述导电载体的材质选自钨、铁、钴、镍、钛、铜、钽、铪、铂、铼、钪、钒、铬、锰、锆和金中的一种或多种；

所述纳米材料的材质为金属、金属碳化物、金属氧化物、硼化物、氮化物和金属富勒烯包合物中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述导电材料的形状为针尖状、棒状、球状、柱状、网状或片状；

所述导电载体的形状为针尖状、棒状、球状、柱状、网状或片状。

4.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述机械剥离具体方法包括：在扫描电子显微镜样品室内，将所述导电材料接触所述镀膜导电载体，将所述镀膜导电载体表面的纳米材料通过机械剥离转移至所述导电材料上。

5.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述接触转移具体方法包括：在扫描电子显微镜样品室内，将所述导电材料接触所述镀膜导电载体，通过施加0.04～10A电流或激光照射，将所述镀膜导电载体表面的纳米材料通过接触转移至所述导电材料上。

6.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述脉冲接触具体方法包括：将所述导电材料接触所述镀膜导电载体上，在扫描电子显微镜样品室内施加1～80V的偏压，将所述镀膜导电载体表面的纳米材料通过脉冲转移至所述导电材料上。

7.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述静电吸附转移具体方法包括：在扫描电子显微镜样品室内，将所述导电材料靠近且不接触所述镀膜导电载体，并在所述扫描电子显微镜样品室内施加1～80V的偏压，将所述镀膜导电载体表面的纳米材料通过静电场吸附转移至所述导电材料上。

8.根据权利要求1所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，还包括步骤3，步骤3具体为：将所述镀膜导电载体和所述导电材料相互接触以形成电通路，然后对所述镀膜导电载体和所述导电材料施加脉冲电流，所述镀膜导电载体和所述导电材料在交界处发生熔融反应，直至温度达到所述纳米材料的共价键反应温度，使得所述纳米材料修饰在所述导电载体上。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，还包括步骤4，步骤4具体为：将所述修饰后导电材料组装在碳纳米材料的内部，然后对所述修饰后导电材料和所述碳纳米材料施加电流或激光照射，使所述修饰后导电材料的纳米材料熔融随后凝固于所述碳纳米材料与所述导电材料之间；或使所述修饰后导电材料的纳米材料升华随后凝华于所述碳纳米材料与所述导电材料之间。

10.根据权利要求9所述的微纳级别修饰方法，其特征在于，所述碳纳米材料为碳纳米锥或/和碳纳米管。