[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

逻辑器件，在所述逻辑器件的第一侧处设置在所述半导体结构的载体晶圆上；

介电结构，设置在所述逻辑器件的第二侧上，所述第二侧与所述第一侧相对；以及

存储器件，形成在所述介电结构上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二侧包括所述逻辑器件的后侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述逻辑器件包括位于所述逻辑器件的所述第二侧上的导电结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括以下中的一者或多者：

电阻器，电耦合到所述存储器件，

电容器，电耦合到所述存储器件，或者

电感器，电耦合到所述存储器件。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体结构包括穿过所述存储器件延伸到所述逻辑器件的导电结构的导电结构。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括在所述逻辑器件的所述第一侧上设置在所述逻辑器件与所述载体晶圆之间的附加介电结构。

7.一种形成半导体结构的方法，包括：

在晶圆上形成逻辑器件；

将载体晶圆耦合到所述逻辑器件的第一侧，所述第一侧是与所述晶圆相对的侧；

从所述逻辑器件的第二侧移除所述晶圆的至少一部分；以及

在从所述逻辑器件的所述第二侧移除所述晶圆的所述至少一部分之后，在所述逻辑器件的所述第二侧上形成存储器件。

8.根据权利要求7所述的一种形成半导体结构的方法，还包括：

在所述逻辑器件的所述第二侧处形成导电结构；以及

在所述导电结构的表面上形成介电结构，

其中在所述逻辑器件的所述第二侧上形成所述存储器件包括：

在所述介电结构上形成所述存储器件。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

在绝缘体上硅(SOI)晶圆上形成逻辑器件；

使用堆叠式晶圆结合将载体晶圆耦合到所述逻辑器件的第一侧，所述第一侧是与所述绝缘体上硅晶圆相对的侧；

从所述逻辑器件的第二侧移除所述绝缘体上硅晶圆的至少一部分，所述第二侧与所述第一侧相对；

在所述逻辑器件的所述第二侧处形成介电层；

形成穿过所述介电层延伸到所述逻辑器件的源极/漏极或导电结构的凹槽；

在所述凹槽内形成导电结构；

在所述介电层的表面上及所述导电结构的表面上形成介电结构；以及

在所述介电结构上形成存储器件。

10.根据权利要求9所述的一种形成半导体结构的方法，还包括：

在硅晶圆上形成钨系层；

将所述钨系层的第一表面耦合到载体，所述钨系层的所述第一表面是与所述硅晶圆相对的表面；

移除所述硅晶圆，暴露出所述钨系层的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；

将所述钨系层的所述第二表面耦合在所述逻辑器件的所述第二侧处；以及

移除所述载体，

其中所述存储器件包括所述钨系层。