[发明专利]透明电子装置及其制造方法在审
申请号: | 202210348216.1 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN114695395A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 林瑜玲;柯聪盈 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
一种透明电子装置及其制造方法,透明电子装置包括:有机膜、非晶质透明碳氧化物层以及矩阵层。有机膜包括含有羧基官能基(‑COOH)的聚合物。非晶质透明碳氧化物层设置于有机膜上,其中,非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成,金属元素是选自钼(Mo)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)及其组合,且其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者。矩阵层位于非晶质透明碳氧化物层上。
技术领域
本发明涉及一种透明电子装置。
背景技术
在显示器的制造过程中,为了使最终的显示器具有所需性质的载板,例如柔性载板,需将制造过程中使用的基板(例如玻璃基板)分离,然后再贴上所需的载板。为了能够轻易地将基板分离,目前的做法是先在基板上形成不透光的离形用金属层、再于离形用金属层上形成像素矩阵,通过基板与离形用金属层之间的弱键结即可轻易地将基板与像素矩阵下的离形用金属层分离。然而,由于离形用金属层不透光,若不将像素矩阵下的离形用金属层移除,则仅能生产单面发光型显示器产品,无法制造出透明的显示器产品。
发明内容
本发明提供一种透明电子装置,具有高透光度。
本发明提供一种透明电子装置的制造方法,能够在不移除不透光金属层之下形成具有高透光度的透明电子装置。
本发明的一个实施例提出一种透明电子装置,包括:有机膜,其中有机膜包括含有羧基官能基(-COOH)的聚合物;非晶质透明碳氧化物层,设置于有机膜上,其中,非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成,金属元素是选自钼(Mo)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)及其组合,且其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者;以及矩阵层,位于非晶质透明碳氧化物层上。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的非晶质透明碳氧化物层中碳元素的原子数目百分比从有机膜往矩阵层的方向递减,且非晶质透明碳氧化物层中氧元素的原子数目百分比从有机膜往矩阵层的方向递增。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的非晶质透明碳氧化物层接近矩阵层的第一侧中金属元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比,非晶质透明碳氧化物层接近有机膜的第二侧中金属元素的平均原子数目百分比大于或等于碳元素的平均原子数目百分比。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的非晶质透明碳氧化物层接近矩阵层的第一侧中氧元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比,非晶质透明碳氧化物层接近有机膜的第二侧中氧元素的平均原子数目百分比小于或等于碳元素的平均原子数目百分比。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的矩阵层包括多个开关元件,且矩阵层与非晶质透明碳氧化物层之间夹设有缓冲层。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的透明电子装置还包括透明辅助膜,设置于有机膜上相对于非晶质透明碳氧化物层的表面上。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的矩阵层为像素层,且透明电子装置为透明显示装置。
在本发明的透明电子装置的一实施例中,上述的含有羧基官能基的聚合物是选自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯及其组合,且其它元素包含钙、镁、铝、硅、钡中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的