[发明专利]透明电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种透明电子装置，包括：

有机膜，其中所述有机膜包括含有羧基官能基的聚合物；

非晶质透明碳氧化物层，设置于所述有机膜上，其中，所述非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成，所述金属元素是选自钼、铟、锡、锌、镉及其组合，且所述其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于所述金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者；以及

矩阵层，位于所述非晶质透明碳氧化物层上。

2.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述非晶质透明碳氧化物层中碳元素的原子数目百分比从所述有机膜往所述矩阵层的方向递减，且所述非晶质透明碳氧化物层中氧元素的原子数目百分比从所述有机膜往所述矩阵层的方向递增。

3.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述矩阵层的第一侧中所述金属元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述有机膜的第二侧中所述金属元素的平均原子数目百分比大于或等于碳元素的平均原子数目百分比。

4.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述矩阵层的第一侧中氧元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述有机膜的第二侧中氧元素的平均原子数目百分比小于或等于碳元素的平均原子数目百分比。

5.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述矩阵层包括多个开关元件，且所述矩阵层与所述非晶质透明碳氧化物层之间夹设有缓冲层。

6.如权利要求1所述的透明电子装置，还包括透明辅助膜，设置于所述有机膜上相对于所述非晶质透明碳氧化物层的表面上。

7.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述矩阵层为像素层，且所述透明电子装置为透明显示装置。

8.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述含有羧基官能基的聚合物是选自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯及其组合，且所述其它元素包含钙、镁、铝、硅、钡中的至少一者。

9.一种透明电子装置的制造方法，包括：

形成矩阵层于不透光金属层的第一表面上；

形成有机膜于所述不透光金属层的第二表面上，以形成堆叠层，其中所述有机膜包括含有羧基官能基的聚合物；以及

将所述堆叠层置于处理环境中，以将所述不透光金属层转化为非晶质透明碳氧化物层，其中，所述非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成，所述金属元素是选自钼、铟、锡、锌、镉及其组合，且所述其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于所述金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者。

10.如权利要求9所述的透明电子装置的制造方法，其中，所述处理环境的温度介于室温至所述有机膜的熔点之间，所述处理环境的相对湿度介于70％至100％之间，且所述堆叠层于所述处理环境中的处理时间介于1小时至100小时之间。

11.如权利要求9所述的透明电子装置的制造方法，还包括在形成所述矩阵层之前形成缓冲层于所述不透光金属层的所述第一表面上。

12.如权利要求9所述的透明电子装置的制造方法，还包括形成透明辅助膜于所述有机膜上相对于所述非晶质透明碳氧化物层的表面上。

13.如权利要求9所述的透明电子装置的制造方法，其中，所述非晶质透明碳氧化物层中碳元素的原子数目百分比从所述有机膜往所述矩阵层的方向递减，且所述非晶质透明碳氧化物层中氧元素的原子数目百分比从所述有机膜往所述矩阵层的方向递增。