[发明专利]扇出堆栈封装方法、芯片封装结构和电子设备

说明书

本申请提供了一种扇出堆栈封装方法、芯片封装结构和电子设备，涉及半导体领域。本申请芯片封装结构以及扇出堆栈封装方法制得的封装结构包括第一重新布线层、第二重新布线层、第一塑封体、第一芯片、第二芯片、第一锡球和打线焊盘。第一芯片和第一塑封体位于第一重新布线层与第二重新布线层之间，第一锡球位于第二重新布线层，而第二芯片重叠地设置在第一重新布线层背离第一芯片的一侧，可通过电连接于第二重新布线层的第一锡球和电连接于第一重新布线层的打线焊盘作为讯号连接点。扇出堆栈封装方法和封装结构可有效的减少封装面积进而提高单位面积的功能集成度，从而获得更精细的布线线宽及高密度的封装结构。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种扇出堆栈封装方法、芯片封装结构和电子设备。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，扇出封装结构广泛应用于半导体行业中，但扇出封装只限于在平面上的展开，对于多芯片集成，传统扇出封装将会使得整体面积过大。

发明内容

本申请的目的包括提供一种扇出堆栈封装方法、芯片封装结构和电子设备，其能够提高封装结构在单位面积的功能集成度，有利于芯片封装结构和电子设备的小型化。

本申请的实施例可以这样实现：

第一方面，本申请提供一种扇出堆栈封装方法，包括：

在载具上制作第一重新布线层，在第一重新布线层上制作第一导电柱；

将第一芯片倒装至第一重新布线层，其中，第一芯片上预先设置有第二导电柱，第一芯片通过第二导电柱与第一重新布线层电连接；

制作第一塑封体以包裹第一芯片、第一导电柱以及第二导电柱，并露出第一导电柱远离载具的一端；

在第一塑封体上制作第二重新布线层，并在第二重新布线层上制作第一锡球，第二重新布线层通过第一导电柱与第一重新布线层电连接；

将载具与第一重新布线层分离，并在第一重新布线层远离第一塑封体的一侧设置第二芯片和用于外接引线的打线焊盘，打线焊盘和第二芯片均与第一重新布线层电连接。

在可选的实施方式中，在第一重新布线层远离第一塑封体的一侧设置第二芯片和用于外接引线的打线焊盘的步骤，包括：

在第一重新布线层上设置第三重新布线层，第三重新布线层与第二重新布线层电连接，且第三重新布线层远离第二重新布线层的一侧形成打线焊盘；

将第二芯片倒装于第三重新布线层。

在可选的实施方式中，第二芯片上设置有第三导电柱，第二芯片通过第三导电柱与第三重新布线层电连接；扇出堆栈封装方法还包括：

制作第二塑封体以包裹第三导电柱。

在可选的实施方式中，扇出堆栈封装方法还包括：

在第一芯片的晶圆上制作第二导电柱；

在第二芯片的晶圆上制作第三导电柱。

在可选的实施方式中，扇出堆栈封装方法还包括：

通过第一锡球将第二重新布线层与基板电连接；

设置引线将打线焊盘与基板电连接。

在可选的实施方式中，露出第一导电柱远离载具的一端的步骤，包括：

研磨第一塑封体以露出第一导电柱远离载具的一端。

在可选的实施方式中，将载具与第一重新布线层分离的步骤之后，且在第一重新布线层远离第一塑封体的一侧设置第二芯片的步骤之前，扇出堆栈封装方法还包括：将第二重新布线层通过临时薄膜贴装于载具；