[发明专利]扇出堆栈封装方法、芯片封装结构和电子设备

权利要求书

1.一种扇出堆栈封装方法，其特征在于，包括：

在载具上制作第一重新布线层，在所述第一重新布线层上制作第一导电柱；

将第一芯片倒装至所述第一重新布线层，其中，所述第一芯片上预先设置有第二导电柱，所述第一芯片通过所述第二导电柱与所述第一重新布线层电连接；

制作第一塑封体以包裹所述第一芯片、所述第一导电柱以及所述第二导电柱，并露出所述第一导电柱远离所述载具的一端；

在所述第一塑封体上制作第二重新布线层，并在所述第二重新布线层上制作第一锡球，所述第二重新布线层通过所述第一导电柱与所述第一重新布线层电连接；

将所述载具与所述第一重新布线层分离，并在所述第一重新布线层远离所述第一塑封体的一侧设置第二芯片和用于外接引线的打线焊盘，所述打线焊盘和所述第二芯片均与所述第一重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，在所述第一重新布线层远离所述第一塑封体的一侧设置第二芯片和用于外接引线的打线焊盘的步骤，包括：

在所述第一重新布线层上设置第三重新布线层，所述第三重新布线层与所述第二重新布线层电连接，且所述第三重新布线层远离所述第二重新布线层的一侧形成所述打线焊盘；

将所述第二芯片倒装于所述第三重新布线层。

3.根据权利要求2所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，所述第二芯片上设置有第三导电柱，所述第二芯片通过第三导电柱与所述第三重新布线层电连接；所述扇出堆栈封装方法还包括：

制作第二塑封体以包裹所述第三导电柱。

4.根据权利要求3所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，所述扇出堆栈封装方法还包括：

在所述第一芯片的晶圆上制作所述第二导电柱；

在所述第二芯片的晶圆上制作所述第三导电柱。

5.根据权利要求1所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，所述扇出堆栈封装方法还包括：

通过所述第一锡球将所述第二重新布线层与基板电连接；

设置引线将所述打线焊盘与所述基板电连接。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，所述露出所述第一导电柱远离所述载具的一端的步骤，包括：

研磨所述第一塑封体以露出所述第一导电柱远离所述载具的一端。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，将所述载具与所述第一重新布线层分离的步骤之后，且在所述第一重新布线层远离所述第一塑封体的一侧设置第二芯片的步骤之前，所述扇出堆栈封装方法还包括：将所述第二重新布线层通过临时薄膜贴装于载具；

在所述第一重新布线层远离所述第一塑封体的一侧设置第二芯片的步骤之后，所述扇出堆栈封装方法还包括：去除所述第二重新布线层上的载具和所述临时薄膜。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，将所述第一芯片倒装至所述第一重新布线层的步骤，包括将多个所述第一芯片倒装至所述第一重新布线层；

在所述第一重新布线层远离所述第一塑封体的一侧设置第二芯片的步骤之后，所述扇出堆栈封装方法还包括：切割以形成单颗的芯片封装结构。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的扇出堆栈封装方法，其特征在于，所述第一导电柱、所述第二导电柱均为铜柱。