[发明专利]一种低成本磁控溅射用钼管靶的制备方法

权利要求书

1.一种低成本磁控溅射用钼管靶的制备方法，包括以下步骤：

1）将高纯度的钼粉在保护气氛下进行高能球磨，球磨完毕后过筛，得到球磨后的钼粉；

所述高纯度的钼粉的纯度在99.94%以上；

2）将步骤1）中球磨后的钼粉通过振动装料的方式装入等静压模具中，然后将装有钼粉的模具在等静压中进行压制，压制完毕后，脱模，得到钼管靶压坯；

所述压制的压力为160~220Mpa，压制时间为3~8min，卸压时按照30～40MPa/min速度降压至常压状态；

3）将含有圆弧面的支撑台放置入卧式中频烧结炉中，接着将步骤2）中的钼管靶压坯放置在含有圆弧面的支撑台上，支撑台的圆弧面与钼管靶压坯接触，对钼管靶材压坯起到支撑作用，放置好后，进行烧结，烧结完毕后，得到烧结后的管靶，将烧结后的管靶进行直接机加工制备成磁控溅射用钼管靶；

所述步骤3）中，含有圆弧面的支撑台底部是平整的，上部开设有圆弧曲面，圆弧对应的半径为钼管靶压坯半径的0.8~1.0倍；为了更方便的将含有圆弧面的支撑台放置在卧式中频烧结炉内，将含有圆弧面的支撑台以圆心为中点，分成完全相同的两个部分圆弧支撑台，每半部分圆弧支撑台的圆弧所对应的圆心角为80°；

所述步骤3）中，烧结是在氢气气氛下，采用多段温度的烧结工艺。

2.根据权利要求1所述的低成本磁控溅射用钼管靶的制备方法，其特征在于，所述步骤1）中，高纯度的钼粉的平均粒径为1.5~6.0μm；高能球磨时间为2~5h，过筛为过160~200目的筛子。

3.根据权利要求1所述的低成本磁控溅射用钼管靶的制备方法，其特征在于，氢气气氛的气流量为5～12m³/h；烧结采用5段温度的烧结工艺。

4.根据权利要求3所述的低成本磁控溅射用钼管靶的制备方法，其特征在于，5段温度的烧结工艺具体为：

常温升温至900～950℃，升温时间4～6h，保温时间3～8h；

再升温至1200～1250℃，升温时间2～4h，保温时间3～6h；

再升温至1600～1700℃，升温时间2～4h，保温时间3～6h；

再升温至1800～1850℃，升温时间2～3h，保温时间3～6h；

再升温至1950～2050℃，升温时间2～4h，保温时间4~12h；

停炉，随炉冷却。