[发明专利]一种去除硅料表面氧化层的清洗方法

权利要求书

1.一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S100、配制清洗溶液，并搅拌均匀；

步骤S200、将硅料完全置于清洗溶液中浸泡，取出；

步骤S300、漂洗，烘干。

2.根据权利要求1所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，步骤S100中，将纯水、甲基磺酸、氟化氢铵、氟硼酸、OP-10、AEO-3、柠檬酸、柠檬酸钠配制成清洗溶液。

3.根据权利要求2所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，在清洗箱中加入300升纯水、45千克甲基磺酸、36千克氟化氢铵、1.8升氟硼酸、4.5千克OP-10、1.8千克AEO-3、59.8千克柠檬酸、4.5千克柠檬酸钠，搅拌均匀，配制成清洗溶液。

4.根据权利要求1所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，步骤S200中，清洗溶液稀释3-5倍，将硅料置于稀释后的清洗溶液中浸泡时间30-60min，取出。

5.根据权利要求1所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，步骤S300中，将去除氧化层的硅料置于漂洗槽内进行漂洗，漂洗后使用PH试纸对硅料表面进行测试，PH试纸不变色表明硅料表面残留清洗溶液漂洗干净，将硅料进行烘干。

6.根据权利要求5所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，使用17.8兆欧以上纯水对硅料进行漂洗，去除其表面残留清洗溶液，所述漂洗为超声波漂洗和/或加热漂洗。

7.根据权利要求6所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，所述漂洗槽内设有超声波发生器，加入纯水并加热至50－60℃，进行超声波漂洗2-3分钟。

8.根据权利要求7所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，所述漂洗槽依次并排设有五个，对硅料进行五次漂洗。

9.根据权利要求1-8任一所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，烘干温度为200-300℃，烘干时间为1-10min。

10.根据权利要求9所述的一种去除硅料表面氧化层的清洗方法，其特征在于，配制20L的清洗溶液并稀释3-5倍后，可清洗3-5吨硅料，稀释后的清洗溶液达到清洗量后需进行更换。