[发明专利]一种显示基板及显示装置在审
申请号: | 202210333974.6 | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN114709247A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 刘威;卢昱行;宁策;王浩然;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种显示基板及显示装置,该显示基板包括呈阵列分布的像素区域,像素区域分为沿第一方向排列的透明区和遮光区,遮光区包括多个子像素单元;显示基板包括衬底基板,每个遮光区内对应各子像素单元的像素驱动电路和位于像素驱动电路远离衬底基板一侧的发光单元,发光单元与像素驱动电路电连接;像素驱动电路包括至少两个薄膜晶体管,像素驱动电路中的薄膜晶体管沿垂直于衬底基板的方向层叠设置,且至少两个薄膜晶体管的有源层在衬底基板上的正投影重叠。该显示基板能够增大透明区的面积,进而提高了透明显示的透过率。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
目前针对透明显示的技术需求还处在较高水平,尤其是超高透过率的要求,当透过率足够大可以实现很多的应用场景,例如车载透明显示、展示视窗、大型列车透明显示车窗等等,当透过率不够时对后面的场景无法更清晰的观看,严重影响观看者感受,因此实现超高透过率的技术开发必要性极大。
对于透明AMOLED显示基板的制作,常规技术方案是采用3T1C像素电路,将设计尺寸达到设备所能制作的极限,以便实现最大化的透明区域,这样整体屏幕显示就能做到现有技术所能实现的最大透明度,透明区面积所占的空间大概在60%-70%范围。再将透明区所能去掉的膜层通过图形化工艺去掉,这样就保证了透明区的光线透过率,最终透明度可以进一步提升。
3T1C基础结构如图1所示,包括开关薄膜晶体管01、驱动薄膜晶体管02、感应薄膜晶体管以及电容03,驱动薄膜晶体管02与有机电致发光单元04连接,工艺特点如下:所有薄膜晶体管TFT在同一平面内形成,金属电极及半导体层同层制作,在不同区域形成图形,电容采用源漏极层的金属与有源层金属作为电容的两极,实现3T1C的电路架构。
按照此结构进行制作的显示面板,RGB三个发光子像素紧密排列在一起,透明区在三个子像素旁边,3个薄膜晶体管TFT及电容所占面积较大,每个图形都按照现有设备极限来进行也无法实现更大的透明区面积。因为,金属电极是不透光的,采用透明电极的话又会影响信号的传输速度,因此这样的制作工艺导致透明显示面板存在透过率的上限,甚至无法满足更高的要求。
发明内容
本发明提供了一种显示基板及显示装置,上述显示基板能够增大透明区的面积,进而提高了透明显示的透过率。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示基板,包括呈阵列分布的像素区域,所述像素区域分为沿第一方向排列的透明区和遮光区,所述遮光区包括多个子像素单元;
所述显示基板包括衬底基板,每个所述遮光区内对应各所述子像素单元的像素驱动电路以及位于所述像素驱动电路远离所述衬底基板一侧的发光单元,所述发光单元与所述像素驱动电路电连接;
所述像素驱动电路包括至少两个薄膜晶体管,所述像素驱动电路中的薄膜晶体管沿垂直于所述衬底基板的方向层叠设置,且至少两个所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影重叠。
本发明实施例提供的显示基板中,包括呈阵列分布的像素区域,像素区域分为沿第一方向排列的透明区和遮光区,遮光区包括多个子像素单元,遮光区内对应具有各子像素单元的像素驱动电路以及位于像素驱动电路远离衬底基板一侧的发光单元,由于像素驱动电路中的薄膜晶体管沿垂直于衬底基板方向层叠设置,且至少两个薄膜晶体管的有源层在衬底基板上的正投影重叠,与现有技术相比,将像素驱动电路中的薄膜晶体管层叠设置能够减小遮光区占用的面积,进而能够增大透明区的面积,进而提高了透明显示的透过率。
可选地,所述像素驱动电路包括用于控制通过所述发光单元的电流的驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述发光单元电连接,所述驱动薄膜晶体管位于像素驱动电路中其它的薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的