[发明专利]一种显示基板及显示装置在审
申请号: | 202210333974.6 | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN114709247A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 刘威;卢昱行;宁策;王浩然;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括呈阵列分布的像素区域,所述像素区域分为沿第一方向排列的透明区和遮光区,所述遮光区包括多个子像素单元;
所述显示基板包括衬底基板,每个所述遮光区内对应各所述子像素单元的像素驱动电路以及位于所述像素驱动电路远离所述衬底基板一侧的发光单元,所述发光单元与所述像素驱动电路电连接;
所述像素驱动电路包括至少两个薄膜晶体管,所述像素驱动电路中的薄膜晶体管沿垂直于所述衬底基板的方向层叠设置,且至少两个所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路包括用于控制通过所述发光单元的电流的驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述发光单元电连接,所述驱动薄膜晶体管位于像素驱动电路中其它的薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括用于控制数据信号的进入的开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管位于所述驱动薄膜晶体管与所述衬底基板之间,所述开关薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影与所述驱动薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影重叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括用于抽取电信号的感应薄膜晶体管,所述感应薄膜晶体管与所述开关薄膜晶体管同层设置。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板与所述像素驱动电路之间的遮光层,所述遮光层为临近所述衬底基板的薄膜晶体管的栅极,且所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述驱动薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括干扰屏蔽层,所述干扰屏蔽层位于两个重叠的薄膜晶体管之间,且所述干扰屏蔽层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述两个重叠的薄膜晶体管在衬底基板上的正投影,所述两个重叠的薄膜晶体管为有源层在衬底基板上的正投影重叠的两个薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述干扰屏蔽层为SOG薄膜。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括至少一个电容,所述电容中的电极板与所述层叠设置的薄膜晶体管中的金属层和半导体层中的任意至少两层同层制作,所述电容在所述衬底基板上的正投影与所述干扰屏蔽层在衬底基板上的正投影无交叠。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述层叠设置的薄膜晶体管中的有源层的材料为透明金属氧化物半导体,所述电容与所述层叠设置的薄膜晶体管中任意至少两层有源层同层制作。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述多个子像素单元在所述遮光区沿第二方向排列,所述第二方向与所述第一方向垂直;
每个所述子像素单元中层叠设置的薄膜晶体管和电容在所述遮光区沿第二方向排列。
11.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述多个子像素单元在所述遮光区沿第一方向排列;
每个所述子像素单元中层叠设置的薄膜晶体管和电容在所述遮光区沿第二方向排列,所述第二方向与所述第一方向垂直。
12.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述遮光区内包括沿第二方向排列的晶体管区和电容区,所述第二方向与所述第一方向相垂直;
所述多个子像素单元中的层叠设置的薄膜晶体管在所述晶体管区沿第一方向依次排列;
所述多个子像素单元中的电容在所述电容区沿所述第二方向依次排列。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-12任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的