[发明专利]基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源

权利要求书

1.基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，包括变压器T1、前端续流电路、开关单元Q1、控制电路、输出二极管D2、负载电路；

变压器T1初级侧的同名端引脚连接电源Vin正极端，初级侧另一引脚连接开关单元Q1；变压器T1次级侧的同名端引脚连接地，次级侧另一引脚连接输出二极管D2阳极，负载电路并联于输出二极管D2阴极和变压器T1次级侧的同名端引脚之间；

前端续流电路并联连接在变压器T1初级侧；

开关单元Q1包括共源极连接的SiC N-JFET和P-MOSFET，SiC N-JFET的漏极连接变压器T1初级侧另一引脚，P-MOSFET的漏极连接电源Vin负极端；

控制电路连接SiC N-JFET和P-MOSFET的栅极，用于输出一驱动电压信号以控制P-MOSFET导通，并用于输出PWM驱动信号以控制SiC N-JFET的导通和关断。

2.根据权利要求1所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，控制电路包括栅极驱动芯片U1，其JFDrv驱动引脚通过栅极驱动电阻R_G^J连接SiCN-JFET的栅极，MDrv驱动引脚通过栅极驱动电阻R_G^M连接P-MOSFET的栅极，VCC1引脚连接+5V电源，GND1引脚连接Vin负极端，IN引脚用于接入PWM控制信号，VCC2引脚连接SiC N-JFET和P-MOSFET的源极和一直流电源正极端，直流电源为-22V ~ -28V，直流电源负极端连接栅极驱动芯片U1的VEE2引脚。

3.根据权利要求2所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，SiC N-JFET的栅极连接二极管D_C阳极，二极管D_C阴极通过电阻R_C连接P-MOSFET的漏极。

4.根据权利要求3所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，栅极驱动芯片U1的VCC2引脚连接电容C_VReg和电容C_VEE2一端，电容C_VReg另一端连接栅极驱动芯片U1的VReg引脚和BSEN引脚，电容C_VEE2另一端连接栅极驱动芯片U1的VEE2引脚。

5.根据权利要求4所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，电容C_VReg另一端连接二极管D3阳极，电容C_VEE2另一端连接二极管D4阴极，二极管D3阳极和二极管D4阴极连接，并连接P-MOSFET的漏极。

6.根据权利要求2所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，栅极驱动芯片U1的JFDrv驱动引脚连接CLJFG引脚，VCC1引脚连接EN引脚，VCC1引脚和GND1引脚之间连接有电容C_VCC1。

7.根据权利要求2所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，栅极驱动芯片U1为1EDI30J12CX。

8.根据权利要求1所述的基于宽禁带半导体功率器件的Cascode-light型反激电源，其特征在于，前端续流电路包括电阻R1、电容C1和二极管D1，电阻R1和电容C1并联后，一端连接变压器T1初级侧的同名端引脚，另一端连接二极管D1阴极，二极管D1阳极连接变压器T1初级侧的另一引脚。