[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法、存储器

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

在所述基底上阵列排布的多个半导体柱组，每个所述半导体柱组包括相互分立的多个半导体柱，且每个所述半导体柱具有沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的源漏区；

多条位线，每条所述位线在第一方向上延伸，且与沿所述第一方向排列的一行所述半导体柱组的各个半导体柱组中的多个所述半导体柱的底部源漏区电连接；以及

多条字线，每条所述字线在第二方向延伸，且将沿所述第二方向排列的一列所述半导体柱组的各个半导体柱组中的每一所述沟道区对应的所述半导体柱侧面包围在内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻的所述半导体柱组之间的间距大于每个所述半导体柱组中的相邻的所述半导体柱之间的间距。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在各个所述半导体柱组中，多个所述半导体柱的排布方式相同。

4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体柱的截面形状为矩形。

5.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述半导体柱组包括的所述半导体柱的数量为2～4。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述半导体柱的高度为100nm～500nm。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：栅介质层，所述栅介质层环绕所述沟道区对应的所述半导体柱侧面上，且位于所述沟道区和包围所述沟道区的字线之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

多个电容结构，位于所述半导体柱组的多个所述半导体柱上，且与多个所述半导体柱组一一对应，每个所述电容结构与对应的所述半导体柱组中的多个所述半导体柱的顶部源漏区电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体柱的材料为硅，所述位线的材料为金属硅化物。

10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成阵列排布的多个半导体柱组，每个所述半导体柱组包括相互分立的多个半导体柱，且每个所述半导体柱具有沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的源漏区；

形成多条位线，每条所述位线在第一方向上延伸，且与沿所述第一方向排列的一行半导体柱组的各个半导体柱组中的所述多个半导体柱的底部源漏区电连接；

形成多条字线，每条所述字线在第二方向延伸，且将沿所述第二方向排列的一列半导体柱组的各个半导体柱组中的每一所述沟道区对应的所述半导体柱侧面包围在内。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成阵列排布的多个所述半导体柱组，包括：

在所述基底上形成阵列排布的多个初始半导体柱；

对所述多个初始半导体柱进行刻蚀，形成与多个所述初始半导体柱中的每个初始半导体柱对应的相互分立的所述多个半导体柱，以得到所述多个半导体柱组。

12.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体住的材料为硅；

形成所述多条位线的方法包括：采用硅金属化工艺形成所述多条位线。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述硅金属化工艺中采用的金属包括钛、钴或者镍中的任一种。