[发明专利]发光器件修补方法及修补设备

说明书

本发明公开了一种发光器件修补方法及修补设备，发光器件修补方法包括准备待修补的发光器件，所述发光器件包括基板、固定于基板上的待补芯片和封装于待补芯片表面的封装胶，激光照射待补芯片表面的封装胶，并将设定区域内的封装胶去除，取下待补芯片并进行替；发光器件修补设备用于实施上述的发光器件修补方法。通过激光去除封装于待补芯片表面的封装胶，将待补芯片露出，并进行替换，实现对发光器件的修补，封装胶吸收激光能量能够快速汽化或剥离，激光去除封装胶的效率较高，并且，激光去除过程中，对环境的污染小，只消耗电能，成本较低，相较于人工操作或干刻蚀法去除，对发光器件的损伤小。

技术领域

本发明涉及发光器件加工技术领域，尤其设计一种发光器件修补方法。

背景技术

大功率发光二极管通常采用锡膏将LED芯片集成于基板上，LED芯片表面用封装胶进行封装，以保证LED具有良好的耐久性及可靠性，环氧树脂胶具有高折射率和透光率，可以增加LED的光通量，若发光器件内存在坏点LED，需要重新替换并进行修补，相关技术中，通过人工或者机械去除的方式，先去除LED表面的封装胶，再替换LED芯片，存在人工、设备成本高，效率低的缺陷。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种发光器件修补方法，能够提高修补效率，成本较低。

本发明还提出一种实施上述发光器件修补方法的发光器件修补设备。

根据本发明的第一方面实施例的发光器件修补方法，包括：

准备待修补的发光器件，所述发光器件包括基板、固定于所述基板上的待补芯片和封装于所述待补芯片表面的封装胶；

激光照射所述待补芯片表面的封装胶，并将设定区域内的封装胶去除；

取下所述待补芯片并进行替换。

根据本发明实施例的发光器件修补方法，至少具有如下有益效果：

本发明的实施例中，通过激光去除封装于待补芯片表面的封装胶，将待补芯片露出，并进行替换，实现对发光器件的修补，封装胶吸收激光能量能够快速汽化或剥离，激光去除封装胶的效率较高，并且，激光去除过程中，对环境的污染小，只消耗电能，成本较低，相较于人工操作或干刻蚀法去除，对发光器件的损伤小。

根据本发明的一些实施例，所述激光的波长为266-1100nm。

根据本发明的一些实施例，所述激光的波长为266-1100nm，所述激光的光斑直径不大于10μm，所述激光的扫描速度为200-2000mm/s，所述激光的频率为100-1000KHz，所述激光的填充密度不大于10μm。

根据本发明的一些实施例，所述封装胶的厚度为1-200μm，所述封装胶去除后的残留厚度不大于20nm。

根据本发明的一些实施例，所述激光包括多个高频子脉冲，并通过脉冲串输出。

根据本发明的一些实施例，沿所述激光的扫描轨迹，以相等空间间隔向所述封装胶发射激光。

根据本发明的一些实施例，所述封装胶的去除步骤包括：

获取所述封装胶的图像信息；

根据所述图像信息获取所述设定区域的范围，并形成所述激光的扫描轨迹及去除参数，所述去除参数包括所述激光的波长、光斑大小与扫描速度；

根据所述扫描轨迹与去除参数对所述封装胶进行去除。

根据本发明的一些实施例，所述待补芯片表面的封装胶去除后，通过激光分离所述待补芯片与基板，将所述待补芯片取下。

根据本发明的一些实施例，取下所述待补芯片后对基板表面进行清洗，将替换芯片焊接于所述基板表面，并对所述替换芯片进行封装。