[发明专利]发光器件修补方法及修补设备

权利要求书

1.发光器件修补方法，其特征在于，包括：

准备待修补的发光器件，所述发光器件包括基板、固定于所述基板上的待补芯片和封装于所述待补芯片表面的封装胶；

激光照射所述待补芯片表面的封装胶，并将设定区域内的封装胶去除；

取下所述待补芯片并进行替换。

2.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，所述激光的波长为266-1100nm。

3.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，所述激光的波长为266-1100nm，所述激光的光斑直径不大于10μm，所述激光的扫描速度为200-2000mm/s，所述激光的频率为100-1000KHz，所述激光的填充密度不大于10μm。

4.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，所述封装胶的厚度为1-200μm，所述封装胶去除后的残留厚度不大于20nm。

5.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，所述激光包括多个高频子脉冲，并通过脉冲串输出。

6.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，沿所述激光的扫描轨迹，以相等空间间隔向所述封装胶发射激光。

7.根据权利要求1至6任一项所述的发光器件修补方法，其特征在于，所述封装胶的去除步骤包括：

获取所述封装胶的图像信息；

根据所述图像信息获取所述设定区域的范围，并形成所述激光的扫描轨迹及去除参数，所述去除参数包括所述激光的波长、光斑大小与扫描速度；

根据所述扫描轨迹与去除参数对所述封装胶进行去除。

8.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，所述待补芯片表面的封装胶去除后，通过激光分离所述待补芯片与基板，将所述待补芯片取下。

9.根据权利要求1所述的发光器件修补方法，其特征在于，取下所述待补芯片后对基板表面进行清洗，将替换芯片焊接于所述基板表面，并对所述替换芯片进行封装。

10.发光器件修补设备，其特征在于，用于实施权利要求1至9中任一项所述的发光器件修补方法，包括：

定位装置，用于获取所述发光器件的图像信息；

激光去除装置，与所述定位装置通讯连接，所述激光去除装置包括激光头与移动模组，所述激光头用于形成激光，所述激光头安装于所述移动模组，所述移动模组根据所述图像信息带动所述激光头对所述设定区域进行扫描。