[发明专利]一种芯片切割后处理方法

说明书

本发明公开一种芯片切割后处理方法，包括如下步骤：(1)将电极面贴覆了白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片。(2)去除芯片电极面上的白膜，然后在芯片的非电极面贴上白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留非电极面上的白膜。(3)沿着芯片的电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂。(4)清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜进行微括处理，完成后对芯片进行倒膜，使芯片非电极面朝向蓝膜粘贴面；然后对芯片进行加热扩膜，即可。本发明的方法解决了切割后芯片崩边、崩角、残胶污染的问题，显著提升了切割良率。同时，该方法无需增加额外设备及材料，易于工业化实现。

技术领域

本发明涉及芯片切割技术领域，具体涉及一种芯片切割后处理方法。

背景技术

本发明背景技术中公开的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

在LED芯片制备工艺中，需要通过切割将制作好的整个芯片分割成所需尺寸的单一芯片，这是半导体发光二极管芯片制造工艺中必不可少的工序。传统的切割工艺有激光切割和锯片切割，但不论采用哪种切割方式，都需要先将芯片粘贴到粘性膜上，切割完成后再进行加热扩膜及倒膜。在芯片切割及倒膜等过程中，由于LED芯片基底材质坚硬、易脆裂等特点，易出现芯片崩边破损等异常；同时，由于芯片电极表面光滑度差异及白膜加热后粘性增大等原因，倒膜后极易出现芯片电极表面残胶污染等异常，制约着LED芯片切割良率的提升。

发明内容

本发明提供一种芯片切割后处理方法，该方法有效解决了切割后芯片崩边、崩角、残胶污染等异常情况，显著了提升了切割良率。同时，该方法无需增加额外设备及材料，易于工业化实现。为实现上述目的，本发明公开如下所示的技术方案。

一种芯片切割后处理方法，包括如下步骤：

(1)将非电极面贴覆白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片。

(2)去除芯片非电极面上的白膜，然后在芯片的电极面贴覆白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留电极面上的白膜。

(3)沿着芯片的非电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂。

(4)清洗劈裂完成的芯片，对白膜进行微括处理。完成后对芯片进行倒膜，使芯片非电极面贴覆蓝膜；然后对芯片进行加热扩膜，即可。

进一步地，步骤(1)中，所述芯片为完成正负电极制作且减薄的芯片。

进一步地，步骤(1)中，所述芯片的厚度为150～170μm。

进一步地，步骤(1)中，将芯片电极面朝下放置贴膜机上，将白膜覆盖粘贴到芯片非电极面上。优选地，贴膜加热温度为35～55℃。

进一步地，步骤(1)中，采用激光划片机进行划片，划片激光功率为2～5W，划片深度为30～50μm，划片速度为150～350mm/s。

进一步地，步骤(2)中，将芯片非电极面朝下放置贴膜机上，将白膜覆盖粘贴到芯片电极面上。优选地，贴膜加热温度为35～55℃。

进一步地，步骤(2)中，采用激光划片机进行划片，划片激光功率为2～5W，划片深度为30～50μm，划片速度为150～350mm/s。

进一步地，步骤(3)中，劈裂深度为1～5μm。优选地，采用劈裂机对芯片进行劈裂，裂片机主轴转速为10000～15000μm/s，劈刀下降时间为8～12s。

进一步地，步骤(4)中，采用高压清水对芯片进行清洗。可选地，清洗流量为0.5～2L/min，平台转速为2000～5000r/min，清洗时间为40～60s，以去除芯片表面的切屑等。