[发明专利]一种芯片切割后处理方法

权利要求书

1.一种芯片切割后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将非电极面贴覆白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片；

(2)去除芯片非电极面上的白膜，然后在芯片的电极面贴覆白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留电极面上的白膜；

(3)沿着芯片的非电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂；

(4)清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜进行微括处理，完成后对芯片进行倒膜使芯片非电极面贴覆蓝膜；然后对芯片进行加热扩膜，即可。

2.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述芯片为完成正负电极制作且减薄的芯片；优选地，所述芯片的厚度为150～170μm。

3.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(1)中，将芯片电极面朝下放置贴膜机上，将白膜覆盖粘贴到芯片非电极面上；优选地，贴膜加热温度为35～55℃。

4.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(1)中，采用激光划片机进行划片，划片激光功率为2～5W，划片深度为30～50μm，划片速度为150～350mm/s。

5.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(2)中，将芯片非电极面朝下放置贴膜机上，将白膜覆盖粘贴到芯片电极面上；优选地，贴膜加热温度为35～55℃。

6.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(1)中，步骤(2)中，采用激光划片机进行划片，划片激光功率为2～5W，划片深度为30～50μm，划片速度为150～350mm/s。

7.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(3)中，劈裂深度为1～5μm；优选地，采用劈裂机对芯片进行劈裂，裂片机主轴转速为10000～15000μm/s，劈刀下降时间为8～12s。

8.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(4)中，采用高压清水对芯片进行清洗；优选地，清洗流量为0.5～2L/min，平台转速为2000～5000r/min，清洗时间为40～60s。

9.根据权利要求1所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(4)中，所述微括处理温度为20～25℃，扩膜倍数1.02～1.05倍；优选地，步骤(4)中，所述加热扩膜温度为65～75℃，扩膜倍数1.45～1.55倍。

10.根据权利要求1-9任一项所述的芯片切割后处理方法，其特征在于，步骤(4)中，所述加热扩膜完成后用显微镜进行芯片外观检验。