[发明专利]一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板有效
申请号: | 202210317411.8 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114420720B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 岳大川;蔡世星 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/48;H01L33/58;G09F9/33 |
代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 许家裕 |
地址: | 528200 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 microled 显示 面板 制作方法 | ||
本发明公开了一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板,属于MicroLED领域,方法步骤包括,设置第一阻隔层将第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱;在第一阻隔层中设置阳极,阳极包括与第一P层接触的第一阳极、与N层接触的第二阳极;键合并除去第一衬底直至暴露出N层;在N层上设置顶面具有第二P层的多个第二多量子阱,第二多量子阱位于第二阳极外周;设置与第二P层和第二阳极接触且与第二多量子阱隔离的延伸电极,第一多量子阱和第二多量子阱共阴极,二次外延时所需温度低,能够保护第一多量子阱和金属引线,第一多量子阱和第二多量子阱都能被有源驱动,实现彩色显示。
技术领域
本发明涉及一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板,属于microled领域。
背景技术
MicroLED,即微型发光二极管,MicroLED显示技术是指以自发光的微米级的LED为发光像素单元,将LED芯片组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于MicroLED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD(液晶)、OLED(有机发光半导体)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。其中,所用的LED芯片的尺寸在微米级别,使得将LED芯片组装到驱动面板变得十分困难,现有技术中的方法包括薄膜转移、激光转移、静电转移、电磁转移、流体自组装等,这些方法在微观上都是使LED芯片逐个地或逐批地与驱动面板组装,用时较长,不良率高。混合键合(Hybrid bonding)技术可以一次性将两个晶圆的电极邦定在一起,两个晶圆上的接触电极经过图形化刻蚀,能够严格对齐,现有技术中有案例将混合键合技术应用到MicroLED,将整面LED芯片同步组装到驱动面板,大大提高了MicroLED面板的组装效率,但现有技术中无彩色化LED外延片,市面上只有带有一种多量子阱的LED外延片,混合键合后,键合面(即LED芯片与驱动电极)不能再加工;若在带有一种多量子阱的LED外延片上二次外延生成N型氮化镓、第二种多量子阱、P型氮化镓,则原有的多量子阱深藏在外延片中部,处理时需要较大的加工深度,刻蚀难度极大,因此现有技术中利用混合键合得到的MicroLED面板只能发出一种颜色的光。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供一种MicroLED显示面板制作方法和以该方法制得的显示面板,能够彩色发光。
第一方面,本申请提供一种MicroLED显示面板制作方法,以外延片和驱动面板为原料,所述外延片由底至面依次包括第一衬底、N层、第一多量子阱层和第一P层,所述驱动面板包括第二衬底和嵌在所述第二衬底中的驱动电极,所述方法包括以下步骤:
设置第一阻隔层以将所述第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱;
在所述第一阻隔层中设置阳极,所述阳极包括与所述第一P层接触的第一阳极,以及与所述N层接触的第二阳极;
键合所述外延片和所述驱动面板,使所述驱动电极与所述阳极邦定,形成双层晶片;
除去所述第一衬底直至暴露出所述N层;
在所述N层上设置顶面具有第二P层的多个第二多量子阱,所述第二多量子阱位于所述第二阳极外周;
设置与所述第二P层和所述第二阳极接触且与所述第二多量子阱隔离的延伸电极。
利用本申请提供的MicroLED显示面板制作方法可以制得彩色显示的MicroLED显示面板,二次外延温度低。
需要注意的是,本领域技术人员应当明白,晶片(wafer)为片状,只有衬底一侧能够用于固定,只有相对于衬底的另一侧能够加工。例如除去所述第一衬底直至暴露出所述N层后,晶片倒置了一次。在本申请中,除非特别说明,否则方位描述如“上”“下”均以晶片水平放置且衬底向下为参照系,“表面”“顶面”是指相对于衬底的另一侧的表面。
进一步地,所述设置第一阻隔层以将所述第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱的步骤包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的