[发明专利]一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板

权利要求书

1.一种MicroLED显示面板制作方法，以外延片和驱动面板为原料，所述外延片由底至面依次包括第一衬底、N层、第一多量子阱层和第一P层，所述驱动面板包括第二衬底和嵌在所述第二衬底中的驱动电极，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

设置第一阻隔层以将所述第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱；

在所述第一阻隔层中设置阳极，所述阳极包括与所述第一P层接触的第一阳极，以及与所述N层接触的第二阳极；

键合所述外延片和所述驱动面板，使所述驱动电极与所述阳极邦定，形成双层晶片；

除去所述第一衬底直至暴露出所述N层；

在所述N层上设置顶面具有第二P层的多个第二多量子阱，以使所述第一多量子阱和所述第二多量子阱共用同一层所述N层作为阴极，所述第二多量子阱位于所述第二阳极外周；

设置与所述第二P层和所述第二阳极接触且与所述第二多量子阱隔离的延伸电极。

2.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板制作方法，其特征在于，所述设置第一阻隔层以将所述第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱的步骤包括：

图形化刻蚀所述第一多量子阱层，使所述第一多量子阱层隔断成多个所述第一多量子阱；

在所述外延片上生成覆盖所述外延片的第一阻隔层。

3.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述第一阻隔层中设置阳极的步骤包括：

图形化刻蚀所述第一阻隔层形成阳极槽，所述阳极槽包括刻蚀至所述第一P层的第一阳极槽，以及刻蚀至所述N层的第二阳极槽；

在所述外延片上生成覆盖所述外延片的阳极金属；

磨削所述阳极金属直至暴露出所述第一阻隔层，以在所述第一阳极槽内保留出所述第一阳极，在所述第二阳极槽内保留出所述第二阳极。

4.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述N层上设置顶面具有第二P层的多个第二多量子阱的步骤包括：

在所述N层上生成第二多量子阱层；

在所述第二多量子阱层上生成第二P层；

图形化刻蚀所述双层晶片，暴露出所述第二阳极的顶部，且在所述第一多量子阱的上方暴露出所述N层，以将所述第二多量子阱层隔断成多个第二多量子阱。

5.根据权利要求4所述的MicroLED显示面板制作方法，其特征在于，所述图形化刻蚀所述双层晶片，暴露出所述第二阳极的顶部，且在所述第一多量子阱的上方暴露出所述N层，以将所述第二多量子阱层隔断成多个第二多量子阱的步骤包括：

在所述第二P层上设置第三光刻胶和较所述第三光刻胶厚的第四光刻胶，所述第三光刻胶位于所述第一阳极上方，所述第四光刻胶位于所述第二阳极的外周；

刻蚀所述双层晶片，以轰去所述第三光刻胶并在所述第一阳极上方刻蚀至暴露出所述N层，在所述第二阳极的上方刻蚀至暴露出所述第二阳极的顶部；

除去残留的所述第四光刻胶。

6.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板制作方法，其特征在于，每个所述第一多量子阱旁设置有一个所述第二多量子阱，所述设置与所述第二P层和所述第二阳极接触且与所述第二多量子阱隔离的延伸电极的步骤包括：

在所述双层晶片上生成第二阻隔层；

图形化刻蚀所述第二阻隔层形成延伸电极槽，所述延伸电极槽包括刻蚀至所述第二阳极的主延伸槽，以及刻蚀至所述第二P层的副延伸槽；

在所述双层晶片上生成覆盖所述双层晶片的延伸金属；

图形化刻蚀所述延伸金属，以形成互相断开的多个延伸电极，所述延伸电极在所述副延伸槽与所述第二P层接触，在所述主延伸槽与所述第二阳极接触。