[发明专利]一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法在审
| 申请号： | 202210301523.4 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114759127A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张韵;曹威;聂胜;帅凌霄;项文辞 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00 |
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| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高光效 漂移 白光 发光二极管 设计 方法 | ||
1.一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，在衬底上采用MOCVD外延生长技术生长外延结构，所述外延结构沿着生长方向依次为本征GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述衬底的材料为(22-43)面蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，在衬底上生长半极性(20-21)面的本征GaN缓冲层。
4.根据权利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述有源区按照生长顺序依次为黄光量子阱发光层、可调控中间层和蓝光量子阱发光层。
5.根据权利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述黄光量子阱中的In组分为30％，发光波长为572nm。
6.根据权利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述黄光量子阱的生长周期为两个。
7.根据权利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述蓝光量子阱中的In组分为17％，发光波长为450nm。
8.根据权利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述蓝光量子阱的生长周期为一个。
9.根据权利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，所述可调控中间层，可以改变生长厚度、掺杂元素类型及掺杂浓度。
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