[发明专利]一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法

权利要求书

1.一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法，其特征是在涂层中添加氮氧硅化合物构成复合膜层，复合膜层是通过交替叠合的高折射率材料层、折射率材料和低折射率材料层制成，包括以下步骤：

（1）.对镀膜设备的氧化室内部充入体积比1:1或2:1的氮气和氧气，本体靶材纯度为99.999%硅靶，镀制超硬质NCVM；

AF使用蒸发机270度EB加射频-晶控，使用蒸发镀制防水，蒸发速率0.5-5A/S，IB清扫时间控制在20-60s；

（3）.对于需要遮蔽镀膜系列的产品，IB清扫时间控制在20-60s，AF膜料采用国产YP-520系列；

（4）.静置一段时间AF后，手动擦拭脏污，使用无尘布蘸取酒精，无尘布更换频次要求8H更换一次；

（5）.干擦机工艺分四档擦拭，工艺参数速度100-1500r/m，压力在0.01-0.5MPa ,输送速度150～1500r/m，每四档为一单元擦拭产品正面一次；

（6）.擦拭脏污后，保证背面达因值，对非遮蔽和遮蔽镀膜产品，后道工序都需要增加非真空大气等离子处理。

2.根据权利要求1所述的一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法，其特征是所述高折射率材料层为TiO₂、Ti₃O₅、Ta₂O₅或Nb₂O₅材料层，低折射率材料层为SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃ 材料层，所述复合膜层的厚度为400-2000nm达到硬质涂层。

3.根据权利要求1所述的一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法，其特征是在所述步骤（1）超硬质NCVM后，在5-60分钟内进行后工序AF正反面过大气等离子。

4.根据权利要求1所述的一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法，其特征是在所述步骤（2）中，射频离子源工作时，离子源充入氧气和氩气的比为4：1或5：1；氩气流量在5-50sccm，氧气流量在10-50sccm，气压在1.0E-3，射频电流在500-1600mA，电压在800-1400V，镀膜速率控制在0.5-5A/S。

5.根据权利要求1所述的一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法，其特征是在所述步骤（4）中，静置是在温度为20-70℃条件下静置20min。