[发明专利]一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：栅电极、绝缘层、半导体层和源漏电极，其特征在于，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT-BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20-30nm，当选用DPPT-TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40-50nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

1）选择衬底并清洗，所述的衬底是氧化硅片，它由两部分组成，一部分是最下方的硅，作为栅电极，硅表面生长一层300nm厚的二氧化硅，作为绝缘层；

2）源漏电极的制备：采用真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀金作为源漏电极；当选用IDT-BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20-30nm，当选用DPPT-TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40-50nm；

3）半导体薄膜的制备：将半导体溶液在衬底上表面铺满；

4）器件的隔离：将制备的器件进行隔离；并用金刚笔在器件上方除器件之外的区域将划开，使得其下方的Si裸露出来；在该位置涂敷导电银胶并粘附铜箔，加热10min使导电银胶固化，得到所述有机薄膜晶体管，至此，底栅底接触结构的有机薄膜晶体管已制备完毕。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤1）中，衬底清洗的具体方法如下：将衬底置于去离子水、酒精中分别超声3分钟，两轮四次，而后用氮气枪将其吹干。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤2）中，热蒸发电流为130-150A，蒸发速率为0.01-0.06nm/s。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤3）中，半导体溶液的配置方法如下：将半导体材料与高沸点的有机溶剂以7mg/ml的质量体积比进行配置,将配置的半导体溶液放在加热台上80℃静置溶解24小时；所述半导体材料为高分子量的有机共轭聚合物，为1,4-二氧并二吡咯和噻吩的聚合物（DPPT-TT）或者茚并二噻吩-共-苯并噻二唑（IDT-BT）；所述高沸点的有机溶剂为二氯苯。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤3）中，将半导体溶液在衬底上表面铺满的方法如下：先在500rpm的转速下匀胶5秒，再在1000rpm的转速下匀胶60秒。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤4）中，将制备的器件进行隔离的具体方法如下：用酒精擦拭器件周边，静置片刻，待酒精完全挥发，而后使用塑料镊将制备的器件进行隔离。