[发明专利]一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2 在审
申请号: | 202210288659.6 | 申请日: | 2022-03-23 |
公开(公告)号: | CN114539576A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 林家齐;王宇;杨文龙;刘欣美 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K7/26;C08G73/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150080 黑龙江省哈尔*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 原位 溶胶 掺杂 制备 pi sio base sub | ||
1.一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2复合薄膜的方法,其特征在于,具体操作如下:
1)称取等当量4,4’-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐和适量纳米二氧化硅(SiO2),
2)将4,4’-二氨基二苯醚和纳米SiO2分散于N,N’-二甲基乙酰胺中,加入适量的均苯四甲酸二酐,合成产物1;
3)室温下,将正硅酸乙酯分批次加入到产物1中,搅拌处理,使正硅酸乙酯与产物1均匀混合,得到产物2;
4)室温下,向产物2中加入剩下的均苯四甲酸二酐,得到成膜液;
5)用流延法将成膜液加工成厚度为400-500微米的膜,在80、100、200、300摄氏度的温度下各保温1小时后,所得薄膜即为聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2复合薄膜的方法,其特征在于:步骤1)中所称取的4,4’-二氨基二苯醚质量、均苯四甲酸二酐的质量、纳米SiO2的质量与正硅酸乙酯的质量比为(38.3-44.0):(41.7-48.0):5:(52.0-10.4)。
3.根据权利要求1所述的一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2复合薄膜的方法,其特征在于:步骤3)所的述将正硅酸乙酯分批次加入到产物1中的具体操作为,将正硅酸乙酯分成等量的10份,分批次加入到产物1中后进行搅拌处理,使正硅酸乙酯与产物1均匀混合,每批次加入间隔不少于10分钟。
4.根据权利要求1所述的一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2复合薄膜的方法,其特征在于:步骤4)中将加入均苯四甲酸二酐的质量为步骤2)中所添加均苯四甲酸二酐质量的0.25倍。
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