[发明专利]电子器件的封装结构及其封装方法

说明书

本发明提供了一种电子器件的封装结构及其封装方法，该封装结构中其封盖层的上表面和/或下表面上设置有加强部件，使得形成有加强部件的封盖层具有更高的抗压强度，有效改善了封盖层易变形而导致腔体发生塌陷的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电子器件的封装结构及其封装方法。

背景技术

电子元器件的封装是集成电路制造中的一个重要环节，传统的封装方式一般可包括：金属封装、塑料封装和表贴封装贴装等。然而，金属封装和塑料封装体积大，不适合小型化趋势；以及，表面贴装工艺虽然其体积较小，然而其制作工艺复杂、价格较高。

近年来，晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)技术逐步发展成熟，该封装技术可以直接在晶圆上进行封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件，这种封装具有尺寸小、电性能好、成本低、易于小型化以及易集成的优势，从而被大量应用于电子器件的封装中。例如，针对声表面波滤波器(surface acoustic wave，SAW)而言，其作为一种无源的滤波器，随着5G到来，通讯频段增加，需在手机内放入大量的滤波器，这就要求芯片及封装向着更小、更薄的方向发展，为此，即可利用晶圆级封装(WLP)技术对声表面波滤波器进行封装。

目前的封装过程可包括：利用一种贴膜设备在晶圆表面贴上封盖膜，以形成一个腔体，将工作区域保护起来，之后可使用电镀等工艺将外围的接触垫(例如，焊盘)引出至器件的表面，从而完成器件的封装。按此方式封装完成的器件的体积较小，其封装后的尺寸与芯片尺寸大致一致，封装面积比在90％以上，适合模组的集成操作，且满足移动终端对尺寸的要求。然而，如上所述的封装结构中，其封盖膜的强度有限，容易出现变形、塌陷等问题，例如采用聚酰亚胺材料的封盖膜时其抗压强度较弱，不利于维持膜层和腔体的稳固，极易在后道的灌封压力下出现坍塌。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子器件的封装结构及其封装方法，以解决现有的封装结构其腔体容易塌陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电子器件的封装结构，包括：支撑柱，形成在一具有器件区的衬底上，并位于所述器件区的外围；封盖层，搭载在所述支撑柱上以形成腔体，并将所述器件区内的电子器件封盖在所述腔体内；以及，加强部件，形成在所述封盖层的下表面和/或上表面，所述加强部件横跨腔体至器件区的外围。

可选的，所述加强部件包括至少一个横梁，所述横梁横跨腔体至器件区的外围。

可选的，位于封盖层下表面的加强部件的端部搭载在一台面上；或者，位于封盖层下表面的加强部件的端部朝向衬底延伸而抵触至所述衬底上。

可选的，位于封盖层上表面的加强部件的端部相对于所述封盖层的端部凸出，并搭载在一台面上；或者，位于封盖层上表面的加强部件的端部相对于所述封盖层的端部凸出，并朝向衬底延伸而抵触至所述衬底上。

可选的，所述加强部件的厚度小于所述封盖层的厚度。

可选的，所述封盖层的材料包括聚酰亚胺。以及，所述加强部件的材料例如包括金属。

本发明还提供了一种电子器件的封装方法，包括：在具有器件区的衬底上形成支撑柱和封盖层，所述支撑柱位于所述器件区的外围，所述封盖层搭载在所述支撑柱上以形成腔体，并将所述器件区内的电子器件封盖在所述腔体内。以及，所述封装方法还包括：在形成所述封盖层之前形成加强部件，所述加强部件在所述器件区内悬置并延伸至器件区的外围，并使所述封盖层接触覆盖所述加强部件的上表面；和/或，在形成所述封盖层之后形成加强部件，所述加强部件接触所述封盖层的顶表面并横跨腔体至器件区的外围。

可选的，在形成所述封盖层之前制备加强部件的方法包括：在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述电子器件；以及，在所述牺牲层上形成加强部件，之后去除所述牺牲层，以使所述加强部件中至少位于电子器件上方的部分悬空。