[发明专利]一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件有效
申请号: | 202210271334.7 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN114457417B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 邹明蓓;朱佰喜;薛抗美;雷宏涛;董志江 | 申请(专利权)人: | 广州志橙半导体有限公司 |
主分类号: | C30B25/12 | 分类号: | C30B25/12;C23C16/32;C23C16/458;C30B29/36 |
代理公司: | 北京中和立达知识产权代理有限公司 11756 | 代理人: | 张攀 |
地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 涂层 石墨 托盘 旋转 组件 | ||
本发明提供了一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件,包括承载盘和盖板,所述承载盘上设有第一定位结构,所述盖板底部设有第二定位结构,所述第一定位结构与第二定位结构相互配合。所述第一定位结构为第一凹槽或第一凸台,所述第二定位结构为第二凸台或第二凹槽,所述第一凹槽与第二凸台相互配合,所述第一凸台与第二凹槽相互配合。在承载盘与盖板间使用外圆裙边作中心的定位,使用凹凸槽作承载盘与盖板间的旋转角度方向的定位,代替现有的通过两盘间的重力和摩擦力来限位的方法,克服了在旋转时因惯性和气流导致承载盘和盖板间发生相对移位,使产品的生长条件发生改变的缺点,从而有效提高产品的生长质量和良率。
技术领域
本发明涉及半导体器件或材料制造技术领域,特别涉及一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件,适用于所有用于SiC外延片反应腔或高温CVD外延生长炉的石墨盘。
背景技术
近几年随着国家对第三代半导体产业的高度重视,以及在新能源汽车、AI、I oT和5G等新兴产业的推动下,国内第三代半导体产业正迎来飞速发展。
碳化硅功率半导体器件为更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的下一代电力电子技术的进步提供了机遇,在智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域具有重大的应用前景和产业价值。
目前Si C外延片生长技术主要采用化学气相沉积方法,外延片反应腔是化学气相沉积工艺中的最核心装置,其中石墨托盘组件是反应腔的基础。
石墨托盘组件一般由承载盘、盖板组成,由机械旋转机构带动承载盘旋转运动。现有的技术主要存在以下缺点:承载盘与盖板之间定位不完整,在旋转运动时,由于惯性和反应腔内的气流作用,承载盘和盖板之间发生相对的移位,从而导致产品的生长条件发了改变,进而影响产品的良率。
发明内容
本发明提供一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件,用以解决背景技术提出的技术问题:承载盘与盖板之间定位不完整,在旋转运动时,由于惯性和反应腔内的气流作用,承载盘和盖板之间发生相对的移位,从而导致产品的生长条件发了改变,进而影响产品的良率。
为解决上述技术问题,本发明公开了一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件,包括承载盘和盖板,所述承载盘上设有第一定位结构,所述盖板底部设有第二定位结构,所述第一定位结构与第二定位结构相互配合。
优选的,所述第一定位结构为第一凹槽或第一凸台,所述第二定位结构为第二凸台或第二凹槽,所述第一凹槽与第二凸台相互配合,所述第一凸台与第二凹槽相互配合。
优选的,所述第一凹槽、第二凹槽均为腰形凹槽,所述第一凸台、第二凸台均为腰形凸台;
或所述第一凹槽、第二凹槽均为圆孔凹槽,所述第一凸台、第二凸台均为圆柱形凸台;
或所述第一凹槽、第二凹槽均为三角形凹槽,所述第一凸台、第二凸台均为腰形凸台为三角形凸台。
优选的,所述第一定位结构设置在所述承载盘非中心位置,所述第二定位结构设置在所述盖板底部非中心位置。
优选的,所述承载盘与盖板间使用中心定位的外圆裙边进行中心位置限制,所述第一定位结构和第二定位结构均设置在对应的外圆裙边上。
优选的,所述承载盘和盖板的涂层材料为Si C材料。
优选的,所述承载盘的下端周向均匀布设有若干安装机构,所述安装机构包括:
安装壳,所述安装壳的上端左右两侧对称设有支腿,所述支腿固定设置在所述承载盘的下端,所述安装壳的内部设有调节腔,所述安装壳的上下两端左右两侧连通设有滑动腔,所述安装壳的下端右侧贯通设有开口一,所述安装壳的上端右侧贯通设有开口二,且开口一和开口二处于不同的竖直平面,所述调节腔分别与所述滑动腔、开口一和开口二连通;
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