[发明专利]一种DIC散斑制备方法及金属材料微区局部应变表征方法在审

专利信息
申请号: 202210270581.5 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN114609168A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 辛仁龙;谭川;舒小港 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01N23/203 分类号: G01N23/203;G01N23/2202;G01B11/16
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李杰
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 dic 制备 方法 金属材料 局部 应变 表征
【权利要求书】:

1.一种DIC散斑制备方法,其特征在于,包括以下步骤,

将样品待测面抛光至表面光亮无划痕;

将样品放置到扫描电镜中,通过电子束轰击样品的方式在样品表面轰击出均匀清晰的散斑,即得到用于测量材料局部应变分布特征的散斑;

其中,所述电子束的轰击电压为15 ~ 40 KV,曝光时间为100 ~ 1000ms,扫描步长为1~10 μm。

2.根据权利要求1所述的DIC散斑制备方法,其特征在于,所述样品为金属材料。

3.根据权利要求2所述的DIC散斑制备方法,其特征在于,所述金属材料为镁合金、钛合金或纯铝。

4.根据权利要求1所述用于测量金属材料局部应变分布特征散斑的制备方法,其特征在于,所述电子束的轰击电压为20~40 KV,曝光时间为300~800ms,扫描步长为1~10 μm。

5.根据权利要求1所述的DIC散斑制备方法,其特征在于,所述抛光方式包括机械抛光、电解抛光或化学抛光。

6.一种金属材料微区局部应变表征方法,其特征在于,包括以下步骤,

S1、将样品采用如权利要求1所述的DIC散斑制备方法制备出散斑;

S2、通过扫描电镜的二次电子成像模式对S1制备的具有散斑的样品进行拍摄,得到未变形的SEM图;

S3、对样品进行变形操作,使样品发生变形;

S4、通过扫描电镜的二次电子成像模式对S3中变形后的样品进行拍摄,得到变形后的SEM图;

S5、根据未变形的SEM图和变形后的SEM图上的散斑进行计算,对该样品进行局部应变表征。

7.根据权利要求6所述的金属材料微区局部应变表征方法,其特征在于,步骤S3中的变形包括弯曲、拉伸或压缩。

8.根据权利要求6所述的金属材料微区局部应变表征方法,其特征在于,步骤S5具体为,使用软件获取材料的晶界分布图,再根据未变形的SEM图和变形后的SEM图上的散斑,通过代码计算局部应变分布;将晶界分布图与局部应变分布进行重叠,获得同时包含晶界信息和应变分布的云图。

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