[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在俯视观察时被划分为有源区域、将所述有源区域包围的边界区域、将所述边界区域包围的边缘区域，

该半导体装置的制造方法具有如下工序：

工序(a)，在具有第1导电型的漂移层的半导体基板的第1主面形成第1掩模；

工序(b)，通过使用所述第1掩模而将第2导电型杂质离子向所述半导体基板的所述第1主面注入，从而在所述有源区域处的所述漂移层的至少一部分区域的所述第1主面侧形成第2导电型的基极层；

工序(c)，通过使用所述第1掩模而将第1导电型杂质离子向所述半导体基板的所述第1主面注入，从而在所述基极层的所述第1主面侧形成第1导电型的杂质层；

工序(d)，在所述工序(b)及(c)后，形成从所述半导体基板的所述第1主面到达所述漂移层的沟槽；

工序(e)，在所述沟槽的内部隔着绝缘膜埋入栅极电极；

工序(f)，在所述半导体基板的所述第1主面形成与所述第1掩模不同的图案的第2掩模；以及

工序(g)，通过使用所述第2掩模而将剂量比在所述工序(c)中注入的所述第1导电型杂质离子高的第2导电型杂质离子向所述半导体基板的所述第1主面注入，从而使所述杂质层的一部分变换为第2导电型的第1接触层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

还具有：工序(h)，在所述边界区域及所述边缘区域，在所述半导体基板形成第2导电型的阱层，

所述工序(g)是在将所述杂质层的一部分变换为所述第1接触层的同时，在所述边界区域处在所述阱层的所述第1主面侧形成第2导电型的第2接触层的工序，

所述第2接触层的净杂质浓度比所述第1接触层高。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述工序(b)中注入的第2导电型杂质离子的在所述半导体基板中的扩散系数比所述工序(c)中注入的第1导电型杂质离子的在所述半导体基板中的扩散系数大。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述边界区域的宽度比所述杂质层的深度大。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1接触层的深度比所述杂质层的深度大。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述工序(g)是在将所述杂质层的一部分变换为所述第1接触层的同时，在所述有源区域处在与所述半导体基板的第1主面接触的所述漂移层形成第2导电型的第3接触层的工序，

所述第3接触层未包含浓度比所述漂移层的第1导电型杂质浓度高的第1导电型杂质，

所述第3接触层的净杂质浓度比所述第1接触层的净杂质浓度高。

7.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在俯视观察时被划分为有源区域、将所述有源区域包围的边界区域、将所述边界区域包围的边缘区域，

该半导体装置的制造方法具有如下工序：

工序(a)，在具有第1导电型的漂移层的半导体基板的第1主面形成第1掩模；

工序(b)，通过使用所述第1掩模而将第2导电型杂质离子向所述半导体基板的所述第1主面注入，从而在所述有源区域处的所述漂移层的所述第1主面侧形成第2导电型的基极层；

工序(c)，通过使用所述第1掩模而将第2导电型杂质离子向所述半导体基板的所述第1主面注入，从而在所述基极层的所述第1主面侧形成第2导电型的接触层；

工序(d)，在所述工序(b)及(c)后，形成从所述半导体基板的所述第1主面到达所述漂移层的沟槽；

工序(e)，在所述沟槽的内部隔着绝缘膜埋入栅极电极；

工序(f)，在所述半导体基板的所述第1主面形成与所述第1掩模不同的图案的第2掩模；以及

工序(g)，通过使用所述第2掩模而将剂量比在所述工序(c)中注入的第2导电型杂质离子高的第1导电型杂质离子向所述半导体基板的所述第1主面注入，从而使所述接触层的一部分变换为第1导电型的杂质层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

还具有：工序(h)，在所述边界区域及所述边缘区域，在所述半导体基板形成第2导电型的第1阱层，

所述工序(b)是在形成所述基极层的同时，在所述边界区域处在所述第1阱层的所述第1主面侧形成第2导电型的第2阱层的工序，

所述第2阱层的净杂质浓度比所述第1阱层高。