[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。例示性的实施方式所涉及的基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在蚀刻对象膜上并具有开口。该方法包括以下工序：工序(a)，使用第一处理气体来在与开口对应地设置于蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；工序(b)，在工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将第一层改性为第二层；以及工序(c)，在工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻凹部。

技术领域

本公开的例示性的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

专利文献1公开一种通过蚀刻来在电介质层形成凹部的方法。在该方法中，在电介质层上形成掩模。接着，在掩模上形成含硅保护覆膜。接着，使用掩模和含硅保护覆膜，通过蚀刻形成凹部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-60566号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良的技术。

用于解决问题的方案

在一个例示性的实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在所述蚀刻对象膜上并具有开口，所述基板处理方法包括以下工序：工序(a)，使用第一处理气体来在与所述开口对应地设置于所述蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；工序(b)，在所述工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将所述第一层改性为第二层；以及工序(c)，在所述工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻所述凹部。

发明的效果

根据一个例示性的实施方式，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。

附图说明

图1是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的图。

图2是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的图。

图3是一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。

图4是作为一例的基板的局部放大截面图。

图5是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的一个工序的截面图。

图6是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的一个工序的截面图。

图7是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的一个工序的截面图。

图8是通过执行一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法而得到的作为一例的基板的局部放大截面图。

具体实施方式

下面，说明各种例示性的实施方式。

在一个例示性的实施方式中，基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在所述蚀刻对象膜上并具有开口，所述基板处理方法包括以下工序：工序(a)，使用第一处理气体来在与所述开口对应地设置于所述蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；工序(b)，在所述工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将所述第一层改性为第二层；以及工序(c)，在所述工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻所述凹部。

根据所述实施方式的方法，在工序(c)中，由于在凹部的侧壁形成有第二层，因此对凹部的侧壁的蚀刻被抑制。因此，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。