[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，所述掩模设置在所述蚀刻对象膜上并具有开口，所述基板处理方法包括以下工序：

工序(a)，使用第一处理气体来在与所述开口对应地设置于所述蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；

工序(b)，在所述工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将所述第一层改性为第二层；以及

工序(c)，在所述工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻所述凹部。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(a)中，使用从所述第一处理气体生成的第一等离子体，

在所述工序(c)中，使用从所述第三处理气体生成的第二等离子体，

在所述工序(b)中，不生成等离子体，使用包括所述含卤气体的所述第二处理气体。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(c)之后还包括重复进行所述工序(a)、所述工序(b)以及所述工序(c)的工序。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

同时进行所述工序(c)以及所述工序(c)之后的所述工序(a)。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述蚀刻对象膜包括含硅膜。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

所述含硅膜包括含有氮的含硅膜，

所述第一处理气体包含氢原子。

7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其特征在于，

所述含硅膜包括不含有氮的含硅膜，

所述第一处理气体包含氢原子和氮原子。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述含卤气体包括具有极性的卤化物。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

所述卤化物包括卤化氢。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一层包含氨或者具有氨基的化合物。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第二层包含卤化铵或卤化胺。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述工序(c)中，向用于支承所述基板的基板支承部施加偏置电力。

13.一种基板处理装置，具备：

腔室；

基板支承部，其用于在所述腔室内支承基板，所述基板具备蚀刻对象膜和掩模，该掩模设置在所述蚀刻对象膜上并具有开口；

气体供给部，其构成为向所述腔室内供给第一处理气体、第二处理气体以及第三处理气体中的至少一方，所述第二处理气体包括含卤气体；以及

控制部，

其中，所述控制部构成为控制所述气体供给部，以进行以下工序：

工序(a)，使用所述第一处理气体来在与所述开口对应地设置于所述蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；

工序(b)，在所述工序(a)之后，使用所述第二处理气体来将所述第一层改性为第二层；以及

工序(c)，在所述工序(b)之后，使用所述第三处理气体来蚀刻所述凹部。

14.一种基板处理方法，是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，所述掩模设置在所述蚀刻对象膜上并具有开口，所述基板处理方法包括以下工序：

工序(a)，将所述基板暴露在第一处理气体中，所述第一处理气体能够在与所述开口对应地设置于所述蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；

工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述基板暴露在包括含卤气体的第二处理气体中，所述第二处理气体能够将所述第一层改性为第二层；以及

工序(c)，在所述工序(b)之后，将所述基板暴露在第三处理气体中，所述第三处理气体能够蚀刻所述凹部。