[发明专利]配管构造和处理装置在审
申请号: | 202210264760.8 | 申请日: | 2022-03-17 |
公开(公告)号: | CN115132611A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 门部雅人;似鸟弘弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F17D1/00;F16L55/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 构造 处理 装置 | ||
本公开提供一种能够将多个配管的传导性设为一定并且改善占地面积效率性的配管构造和处理装置。一种配管构造,其将在第1室相邻配置的多个处理组件和在位于所述第1室的下层的第2室配置、并与所述多个处理组件对应地设置的多个真空泵连接,其中,该配管构造具有多个配管,该多个配管将所述多个处理组件和与所述多个处理组件对应设置的所述多个真空泵分别连接,所述多个配管在高度方向上分割成多个模块,在相同高度的模块中使用的所述多个配管具有相同形状。
技术领域
本发明涉及配管构造和处理装置。
背景技术
以往,公知有一种处理装置,该处理装置包括:处理部,其包含相连地配置于第1室的多个处理组件和配置于第1室并收容载体的装载组件,该载体收纳有利用多个处理组件进行处理的基板;以及多个泵单元,其与多个处理组件分别对应地配置于与第1室相邻的第2室,将对应的多个处理组件和多个泵单元连接的连接配管的长度相同(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-113629号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够使多个配管的传导性一定并且改善占地面积效率性的配管构造和处理装置。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本公开的一技术方案的配管构造将在第1室相邻配置的多个处理组件和在位于所述第1室的下层的第2室配置、并与所述多个处理组件对应地设置的多个真空泵连接,其中,
该配管构造具有多个配管,该多个配管将所述多个处理组件和与所述多个处理组件对应地设置的所述多个真空泵分别连接,
所述多个配管在高度方向上分割成多个模块,在相同高度的模块中使用的所述多个配管具有相同形状。
发明的效果
根据本公开,能够使多个配管的传导性相同。
附图说明
图1是表示本公开的第1实施方式的处理装置的配置的一个例子的图。
图2是表示本实施方式的配管构造的一个例子立体图。
图3是本实施方式的配管构造的主视图。
图4是本实施方式的配管构造的侧视图。
图5是分解地表示本公开的实施方式的配管构造中的一个配管的分解图。
图6是表示凸缘的结构的一个例子的图。
图7是表示本公开的第2实施方式的配管构造的部分配管的一个例子的图。
图8是表示洁净室设施构造物的开口的一个例子的图。
图9是用于说明配管的偏离幅度的图。
图10是表示路径的设定的想法的图。
图11是表示将偏离幅度设定得较小的配管的形状的一个例子的图。
图12是表示将偏离幅度设定得较大的配管的形状的一个例子的图。
具体实施方式
以下,参照附图,说明用于实施本发明的方式。
[第1实施方式]
图1是表示本公开的第1实施方式的处理装置的配置的一个例子的图。本实施方式的处理装置具有处理组件40、真空泵50和配管构造60。处理组件40设置于第1室10,真空泵50设于第1室10的下层的第2室20。在第1室10与第2室20之间设有洁净室设施构造物30。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造