[发明专利]配管构造和处理装置在审
申请号: | 202210264760.8 | 申请日: | 2022-03-17 |
公开(公告)号: | CN115132611A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 门部雅人;似鸟弘弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F17D1/00;F16L55/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 构造 处理 装置 | ||
1.一种配管构造,其将在第1室相邻配置的多个处理组件和在位于所述第1室的下层的第2室配置、并与所述多个处理组件对应地设置的多个真空泵连接,其中,
该配管构造具有多个配管,该多个配管将所述多个处理组件和与所述多个处理组件对应地设置的所述多个真空泵分别连接,
所述多个配管在高度方向上分割成多个模块,在相同高度的模块中使用的所述多个配管具有相同形状。
2.根据权利要求1所述的配管构造,其中,
所述多个配管的各配管针对所述高度方向上的所述多个模块中的每个模块具有由一个配管构成的部分配管,通过将所述部分配管彼此连接,从而分别构成所述多个配管。
3.根据权利要求2所述的配管构造,其中,
多个所述部分配管的各部分配管包含倾斜地设置的倾斜部和沿铅垂方向延伸的直线部。
4.根据权利要求3所述的配管构造,其中,
所述倾斜部的朝向针对所述多个配管中的每个配管而不同。
5.根据权利要求4所述的配管构造,其中,
所述多个配管的各配管包含三个所述部分配管。
6.根据权利要求5所述的配管构造,其中,
对于所述三个所述部分配管,与最上方的所述部分配管的所述倾斜部的长度相比,第二个和第三个所述部分配管的所述倾斜部的长度较大。
7.根据权利要求6所述的配管构造,其中,
第二个所述部分配管和第三个部分配管是相同形状的部分配管。
8.一种处理装置,其中,
该处理装置具有:
多个处理组件,其在第1室相邻配置;
多个真空泵,其在位于所述第1室的下层的第2室配置,并与所述多个处理组件对应地设置,以及
多个配管,其将所述多个处理组件和与所述多个处理组件对应地设置的所述多个真空泵分别连接,
所述多个配管在高度方向上分割成多个模块,在相同高度的模块中使用的所述多个配管具有相同形状。
9.根据权利要求8所述的处理装置,其中,
所述多个处理组件由相同的处理装置构成。
10.根据权利要求8或9所述的处理装置,其中,
所述多个配管的各配管针对所述高度方向上的所述多个模块中的每个模块具有由一个配管构成的部分配管,通过将所述部分配管彼此连接,从而分别构成所述多个配管。
11.根据权利要求10所述的处理装置,其中,
多个所述部分配管的各部分配管包含倾斜地设置的倾斜部和沿铅垂方向延伸的直线部。
12.根据权利要求11所述的处理装置,其中,
所述倾斜部的朝向针对所述多个配管中的每个配管而不同。
13.根据权利要求12所述的处理装置,其中,
所述多个配管的各配管包含三个所述部分配管。
14.根据权利要求13所述的处理装置,其中,
对于所述三个所述部分配管,与最上方的所述部分配管的所述倾斜部的长度相比,第二个和第三个所述部分配管的所述倾斜部的长度较大。
15.根据权利要求14所述的处理装置,其中,
第二个所述部分配管和第三个部分配管是相同形状的部分配管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造