[发明专利]半导体制造装置用构件

说明书

本发明提供一种半导体制造装置用构件，其利用保护材料保护将陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料，并且防止由粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。作为半导体制造装置用构件的聚焦环(FR)载置台具备：圆环状的FR用陶瓷加热器、作为金属基座的FR用冷却板、作为粘接FR用冷却板与FR用陶瓷加热器的粘接材料的粘接片、以包围粘接片的周围的方式设置在FR用陶瓷加热器与FR用冷却板之间的粘接性的内周侧及外周侧保护材料。在粘接片与内周侧保护材料之间设置有内周侧空隙层。在粘接片与外周侧保护材料之间设置有外周侧空隙层。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用构件。

背景技术

为了利用等离子体对晶片进行CVD、蚀刻等而使用晶片处理装置。在专利文献1中公开了一种晶片处理装置，具备：金属基座，其由圆盘状的中心侧金属基座和圆环状的外周侧金属基座连结而成；圆盘状的中心侧静电卡盘加热器，其设置于中心侧金属基座的上表面；以及圆环状的外周侧静电卡盘加热器，其设置于外周侧金属基座的上表面。在该晶片处理装置中，使圆盘状的晶片静电吸附在中心侧静电卡盘加热器的上表面，并且使圆环状的聚焦环静电吸附在外周侧静电卡盘加热器的上表面。另外，晶片的温度和聚焦环的温度分别被单独地控制。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-207979号公报

发明内容

发明所要解决的课题

外周侧金属基座与外周侧静电卡盘加热器通过粘接片粘接。粘接片在使用环境中有时会腐蚀。因此，考虑通过以包围粘接片的周围(内周部和外周部)的方式填充保护材料来防止粘接片的腐蚀。这样的技术在本发明人等所了解的范围内，目前并不是公知的。当以包围粘接片的周围的方式填充保护材料时，粘接片与保护材料紧密地粘接而一体化。在该状态下，当外周侧静电卡盘加热器达到高温时，粘接片和保护材料都要沿半径方向向外伸长。在此，在粘接片的CTE(热膨胀系数)比保护材料的CTE大的情况下，粘接片的伸长量比保护材料的伸长量大，因此在粘接片的内周部，保护材料被粘接片拉伸。其结果，有时在粘接片或保护材料中的至少一者中产生剥离、龟裂。另一方面，在粘接片的CTE小于保护材料的CTE的情况下，保护材料的伸长量大于粘接片的伸长量，因此在粘接片的外周部，粘接片被保护材料拉伸。其结果，有时在粘接片或保护材料中的至少一者中产生剥离、龟裂。这一点对于中心侧金属基座与中心侧静电卡盘加热器之间的粘接片也是同样的。需要说明的是，不管有无静电吸附功能，这样的问题都会发生。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，利用保护材料保护将陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料，并且防止因粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。

用于解决课题的手段

本发明的第一半导体制造装置用构件具备：

圆盘状或圆环状的陶瓷加热器；

金属基座；

粘接所述金属基座与所述陶瓷加热器的粘接材料；

粘接性的保护材料，其以包围所述粘接材料的周围的方式设置在所述陶瓷加热器与所述金属基座之间；以及

防粘接层，其设置在所述粘接材料与所述保护材料之间，防止所述粘接材料与所述保护材料粘接。

该半导体制造装置用构件具备包围粘接材料的周围的粘接性的保护材料。另外，在粘接材料与保护材料之间具备防止粘接材料与保护材料粘接的防粘接层。由于粘接材料被保护材料保护，因此在半导体制造装置用构件的使用环境下的粘接材料的耐腐蚀性提高。另外，无论粘接材料的CTE比保护材料的CTE大还是小，CTE小的一方不会或几乎不会被CTE大的一方拉伸，因此能够防止粘接材料、保护材料产生剥离、龟裂。因此，能够利用保护材料保护粘接材料，并且能够防止因粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。