[发明专利]一种用于贵重金属表面抛光的阻尼布及其生产工艺

说明书

本发明涉及一种用于贵重金属表面抛光的阻尼布及其生产工艺，属于精细加工技术领域。该种阻尼布从抛光接触面至吸附面依次包括助磨涂料层、拒水基垫和弹性垫；助磨涂料层由亲水改性的偏二氟乙烯和聚乙二醇为成膜材料，助磨涂料层的良好亲水性使得抛光液可均匀分散，聚乙二醇具有水溶性，在抛光过程中助磨涂料层缓慢浸蚀，磨料均匀释放参与抛光，可降低抛光液的浓度，使得抛光液中的磨粒易分散，从而提高抛光精度。拒水基垫通过导电石墨配合电晕处理获得均匀的用于抛光切削的凸起，且拒水基垫为橡胶基材质，具有良好的防渗性能，抛光切削微粉可充分回收，解决现有技术中贵重金属抛光切削微难以回收造成成本高的问题。

技术领域

本发明属于精细加工技术领域，具体地，涉及一种用于贵重金属表面抛光的阻尼布及其生产工艺。

背景技术

常见的贵重金属有金、铂、钯等，通常被加工成饰品，此外贵重金属多数具有良好物理及化学性能，常被应用在精密元器件中，无论是作为饰品还是元器件材料，一般都需要进行表面处理，最常见的就是抛光。

现有技术中对于贵重金属通常采用抛光布配合抛光液进行抛光，为了保证抛光精度，抛光垫的表面通常设计为多孔结构或者开槽，使得抛光液可尽量均匀地分布在抛光垫上以获得均匀的抛光效果；抛光切削下的微粉易卡在空隙中难以与抛光垫分离，使得贵重金属的抛光损失率较大，因此，针对贵重金属的抛光亟需开发专用的抛光垫。

发明内容

为了解决背景技术提到的技术问题，本发明提供一种用于贵重金属表面抛光的阻尼布及其生产工艺。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种用于贵重金属表面抛光的阻尼布，从抛光接触面至吸附面依次包括助磨涂料层、拒水基垫和弹性垫；

拒水基垫由以下步骤制备：

步骤A1：取导电炭黑和纳米二氧化硅混合加入搅齿造粒机中进行球化造粒，过0.5mm筛网筛分，取筛下物得到复合球粒；由于导电炭黑和纳米二氧化硅均具有较大的比表面积，在搅齿造粒机中两者相互吸附团结，制得的复合球粒为导电炭黑-纳米二氧化硅结构；

步骤A2：取乙醇溶液加入硅烷偶联剂Si-69高速搅拌稀释制成偶联液，之后将复合球粒加入偶联液中低速搅拌混合，复合球粒完全浸入后静置30-50min，最后过滤、干燥，得到偶联填料；

步骤A3：取溴化丁基橡胶和氯丁橡胶粉碎混合制成复合胶料，之后与环己烷混合加入密炼机中，在50-60℃下密炼20-30min，之后加入偶联填料与其他助剂，其他助剂包括硫化剂、防老剂和促进剂，升温至75±2℃混炼10-15min，得到共混胶料；

步骤A4：将共混胶料平铺在模具中，连同模具放入硫化机中，先在120±5℃下硫化25±2min得到一次硫化料，一次硫化料经过低温短时间下硫化，具有一定的强度，之后对一次硫化料表面进行电晕处理，一次硫化料中的偶联填料中含有导电石墨，电晕处理时偶联填料在强电场富集在表层形成凸起，该凸起的结构为偶联填料颗粒表面覆盖一层橡胶层，由于偶联填料以导电石墨和纳米二氧化硅为原料，其强化橡胶，使得凸起具有较高的强度，通过电晕处理在一次硫化料的表面形成均匀的糙化层，电晕处理后的一次硫化料放入硫化釜中升温至158±3℃硫化10-18min，得到拒水基垫。

进一步地，导电炭黑的粒径为40±10μm，纳米二氧化硅的粒径为30±5nm，搅齿造粒机的搅拌转速为1200-1500rmp，该参数设置下，导电炭黑和纳米二氧化硅可被充分混合造粒，形成纳米二氧化硅包覆导电炭黑结构。

进一步地，导电炭黑和纳米二氧化硅的用量质量比为1:0.5-0.8，复合球粒和复合胶料的用量质量比为4.5-7:100。

进一步地，丁基橡胶和氯丁橡胶的用量质量比为1:0.4。

进一步地，硫化剂为氧化锌。

进一步地，防老剂为防老剂4042。