[发明专利]晶圆传送装置、晶圆预抽装置及快速传送片系统在审
申请号: | 202210259320.3 | 申请日: | 2022-03-16 |
公开(公告)号: | CN114823445A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张刚 | 申请(专利权)人: | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 吴焕芳;杨勇 |
地址: | 100176 北京市通州区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 装置 晶圆预抽 快速 系统 | ||
本发明提供了一种晶圆传送装置,包括:底座,以及固定所述底座上的晶圆支撑部件,所述晶支撑定部件内侧面形成多个的支撑组件,所述支撑组件之间形成卡槽,并沿垂直于所述底座方向间隔排布;并且,所述晶圆支撑部件的内侧面,形成与晶圆外周边沿相匹配的圆弧,使晶圆在所述晶圆传送装置内,沿垂直于所述底座的方向稳定间隔排布。本发明缩短了传片时间、延长了晶圆预抽装置密封圈的使用寿命,减少了主检测模块中代入微粒的量,延长了给晶圆预抽装置抽气的泵的使用寿命。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及晶圆传送装置、晶圆预抽装置及快速传送片系统。
背景技术
芯片生产过程中,晶圆(wafer)检测是至关重要的一个环节,对晶圆(wafer)进行检测时,需要晶圆传片系统将晶圆(wafer)传送至晶圆检测设备的检测台,又称为传片过程。
如图1所示为现有技术的晶圆传送装置的底面结构示意图,图2所示为现有技术中晶圆放置于晶圆传送装置的底面的示意图。现有技术中的晶圆传送装置具有一个非常平整的圆形底面,在圆形底面上设置有四个支架,在支架上放置晶圆(wafer)。
传统的传片系统,晶圆(wafer)在经过重要关口晶圆预抽腔体(loadlock,其含有如前文所述的底面结构和支架)时,采用单线串行传片控制模式:
图3所示为现有技术中传片系统的结构框图,半导体设备前端模块(EFEM)中的机械手A会从前开式晶圆传送盒(FOUP)中抓取晶圆(wafer),一次抓取一片并对晶圆(wafer)进行定位后,放到晶圆预抽腔体(loadlock)中的晶圆传送装置的圆形底面的四个支架上。关闭晶圆预抽腔体(loadlock)与半导体设备前端模块(EFEM)之间的阀门,进行密封,打开分子泵抽气,将晶圆预抽腔体(loadlock)抽到大约-5Pa。打开晶圆预抽腔体(loadlock)与主反应室(main-chamber)之间的阀门,主反应室(main-chamber)中的另一个机械手B,将晶圆(wafer)从晶圆预抽腔体(loadlock)中的晶圆传送装置的圆形底面的四个支架上取出,放到载物台上进行拍照检测,同时关闭晶圆预抽腔体(loadlock)的阀门。
检测完毕,机械手B再次将晶圆(wafer)从载物台取下来,放进晶圆预抽腔体(loadlock)中,进行放气,放气结束后半导体设备前端模块(EFEM)中的机械手A会从晶圆预抽腔体(loadlock)中的晶圆传送装置的圆形底面的四个支架上取出晶圆(wafer),放进前开式晶圆传送盒(FOUP)中。
现有技术中传片过程,由于晶圆预抽腔体(loadlock)中的晶圆传送装置的圆形底面结构限制,导致半导体设备前端模块(EFEM)每次只能传递一片晶圆(wafer)进入晶圆预抽腔体(loadlock)。需要半导体设备前端模块(EFEM)从前开式晶圆传送盒(FOUP)不断的一片一片的取晶圆,向晶圆预抽腔体(loadlock)中传送,这就需要不断开启和闭合晶圆预抽腔体(loadlock),并且需要不断的对晶圆预抽腔体(loadlock)抽气和放气。
然而,晶圆预抽腔体(loadlock)中抽真空到-5Pa需要的时间很长,2min左右。一片晶圆(wafer),传进传出,需要大约4min。而晶圆(wafer)在载物台上拍照检测时间大约为1min,传片时间几乎是检测时间的4倍。传片过程中造成大量时间浪费,晶圆检测设备长时间处于等待状态,严重影响检测效率,降低产能。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明提供了晶圆传送装置、晶圆预抽装置及快速传送片系统,以解决现有技术中,晶圆传片过程中传片时间长、传片效率低下,以及产能低下的技术问题。
本发明的一个目的在于提供一种晶圆传送装置,所述晶圆传送装置包括:
底座,以及
固定所述底座上的晶圆支撑部件,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造