[发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供键合结构，所述键合结构包括依次设置的半导体结构、键合界面、台阶区域以及层叠结构，所述层叠结构包括依次设置的第一导电层、绝缘介质层以及第二导电层；

去除部分的所述层叠结构，使得所述台阶区域的远离所述键合界面的部分表面裸露，剩余的所述层叠结构形成多个间隔的半导体部，所述半导体部包括依次设置的第一导电部、绝缘介质部以及第二导电部，且各所述第一导电部的第一预定表面裸露，所述第一预定表面为所述第一导电部的远离所述台阶区域的部分表面；

在所述键合结构的裸露表面上形成介质层；

形成多个第一导电结构以及多个第二导电结构，所述第一导电结构贯穿所述介质层且与所述第一预定表面一一对应接触，所述第二导电结构贯穿所述介质层且与所述第二导电部的远离所述绝缘介质部的表面一一对应接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分的所述层叠结构，使得所述台阶区域的远离所述键合界面的部分表面裸露，剩余的所述层叠结构形成多个间隔的半导体部，包括：

刻蚀所述层叠结构，形成多个孔洞，所述孔洞使得部分的第二预定表面裸露，所述第二预定表面为所述台阶区域的远离所述键合界面的表面，剩余的所述第一导电层形成多个所述第一导电部，剩余的所述绝缘介质层形成多个预备绝缘介质部，剩余的所述第二导电层形成多个第二预备导电部；

依次去除部分的各所述第二预备导电部以及部分的各所述预备绝缘介质部，使得对应的各所述第一预定表面裸露，剩余的所述预备绝缘介质部形成所述绝缘介质部，剩余的所述第二预备导电部形成所述第二导电部。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀所述层叠结构，形成多个贯穿至所述台阶区域的远离所述键合界面的表面的孔洞，包括：

在所述层叠结构的裸露表面上形成第一掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述层叠结构，以形成多个所述孔洞；

去除所述第一掩膜层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，依次去除部分的各所述预备绝缘介质部以及部分的各所述第二预备导电部，使得对应的所述第一预定表面裸露，包括：

在形成有所述孔洞的所述键合结构的裸露表面上形成牺牲层，所述牺牲层填充各所述孔洞；

在所述牺牲层的裸露表面上形成第二掩膜层；

以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述牺牲层以及所述层叠结构，以使得各所述预备绝缘介质部的远离所述第一导电部的部分表面裸露，剩余的各所述第二预备导电部形成各所述第二导电部；

去除部分的各所述预备绝缘介质部，使得各所述第一预定表面裸露，剩余的各所述预备绝缘介质部形成所述绝缘介质部；

去除剩余的所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成多个第一导电结构以及多个第二导电结构，包括：

对形成有所述介质层的所述键合结构进行刻蚀，以形成多个第一凹槽以及多个第二凹槽，所述第一凹槽贯穿至所述第一预定表面，所述第二凹槽贯穿至所述第二导电部的远离所述绝缘介质部的表面；

分别在所述第一凹槽中以及所述第二凹槽中填充导电材料，对应形成第一导电柱以及第二导电柱；

在所述第一导电柱的裸露表面上形成第一金属部，所述第一金属部以及所述第一导电柱构成所述第一导电结构，且在所述第二导电柱的裸露表面上形成第二金属部，所述第二金属部以及所述第二导电柱构成所述第二导电结构，其中，所述第一金属部与所述第二金属部不接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供键合结构，包括：

提供第一待键合结构，所述第一待键合结构包括依次设置的所述半导体结构以及第一待键合层，所述半导体结构包括第一基底；

提供第二待键合结构，所述第二待键合结构包括依次设置的第二基底、所述层叠结构、所述台阶区域以及第二待键合层；

以所述第一待键合层和所述第二待键合层为键合界面，键合所述第一待键合结构以及所述第二待键合结构，键合后的所述第一待键合层和所述第二待键合层形成所述键合界面；

至少去除部分的所述第二基底，使得所述层叠结构的远离所述台阶区域的表面裸露，形成所述键合结构。