[发明专利]TFT基板及其制作方法、液晶显示面板和OLED显示面板

说明书

本申请实施例提供一种TFT基板及其制作方法、液晶显示面板和OLED显示面板。本申请实施例提供的TFT基板，通过设置源极和漏极均由导电层蚀刻得到，导电层包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，并设置第一金属层的标准电极电位低于第二金属层的标准电极电位，同时将第一金属层的厚度设置为与现有技术相比，大大缩小了第一金属层的厚度，有利于使蚀刻得到的源极和漏极具有较小的Taper角。

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种TFT基板及其制作方法、液晶显示面板和OLED显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是显示装置的重要组成部分，TFT可以形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关部件和驱动部件用在诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光二极管显示装置(OLED)等显示装置上。

与a-si(非晶硅)相比，氧化物半导体TFT具有独特的优势：氧化物半导体的亚带隙态密度远小于非晶硅，使得氧化物半导体TFT的亚阈值摆幅很小；金属氧化物半导体相对非晶硅更易产生带传导，迁移率更高；与低温多晶硅薄膜晶体管相比，氧化物半导体TFT表现出更好的均一性；氧化物半导体TFT因空穴的产生和传输更加困难，表现出极低的漏电流，较低的漏电流可实现TFT低刷新驱动需求。

然而，氧化物半导体TFT的源极和漏极通常需要经过蚀刻处理以形成预设图案，经过蚀刻后，得到的源极和漏极的侧边通常是垂直于衬底，即Taper角大约为90度，然而当Taper角在90度左右时，在源极和漏极上方沉积的钝化层很难附着于源极和漏极的侧边的表面，从而导致钝化层容易从源极和漏极上脱落，无法对源极和漏极进行有效保护。

发明内容

本申请实施例提供一种TFT基板及其制作方法、液晶显示面板和OLED显示面板，该TFT基板中，源极和漏极的Taper角较小，钝化层可以较好的附着在源极和漏极上，不容易从源极和漏极上脱落，因此可以对源极和漏极形成有效保护。

第一方面，本申请实施例提供一种TFT基板，包括衬底、栅极、有源层、源漏极层以及钝化层，其中，所述栅极和所述有源层均设于所述衬底与所述源漏极层之间，所述钝化层覆盖于所述源漏极层上远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括间隔设置的源极和漏极；

所述源极和所述漏极均由导电层蚀刻得到，所述导电层包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设于所述第二金属层远离所述衬底的一侧；所述第一金属层的标准电极电位低于所述第二金属层的标准电极电位，并且所述第一金属层的厚度为

在一些实施例中，所述第一金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第二金属层的材料为铜，所述第二金属层的厚度为

在一些实施例中，所述导电层还包括第三金属层，所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；

所述第三金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第三金属层的厚度为

在一些实施例中，所述源极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°，所述漏极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°。

在一些实施例中，所述导电层还包括第三金属层，所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；

所述第三金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第三金属层的厚度为

在一些实施例中，所述源极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°，所述漏极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°。

在一些实施例中，所述TFT基板还包括栅极绝缘层，所述衬底、所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极层以及所述钝化层依次层叠设置；其中，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层和所述栅极对应设置，所述源极和所述漏极均与所述有源层接触，所述钝化层覆盖所述源漏极层和所述有源层；或者