[发明专利]TFT基板及其制作方法、液晶显示面板和OLED显示面板

权利要求书

1.一种TFT基板，其特征在于，包括衬底、栅极、有源层、源漏极层以及钝化层，其中，所述栅极和所述有源层均设于所述衬底与所述源漏极层之间，所述钝化层覆盖于所述源漏极层上远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括间隔设置的源极和漏极；

所述源极和所述漏极均由导电层蚀刻得到，所述导电层包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设于所述第二金属层远离所述衬底的一侧；所述第一金属层的标准电极电位低于所述第二金属层的标准电极电位，并且所述第一金属层的厚度为

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第二金属层的材料为铜，所述第二金属层的厚度为

3.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述导电层还包括第三金属层，所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；

所述第三金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第三金属层的厚度为

4.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述源极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°，所述漏极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板还包括栅极绝缘层，所述衬底、所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极层以及所述钝化层依次层叠设置；其中，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层和所述栅极对应设置，所述源极和所述漏极均与所述有源层接触，所述钝化层覆盖所述源漏极层和所述有源层；或者

所述TFT基板还包括栅极绝缘层与层间绝缘层，所述衬底、所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极、所述层间绝缘层、所述源漏极层以及所述钝化层依次层叠设置；其中，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层和所述栅极对应设置，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上设有源极接触孔和漏极接触孔，所述源极经由所述源极接触孔与所述有源层接触，所述漏极经由所述漏极接触孔与所述有源层接触，所述钝化层覆盖所述源漏极层。

6.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上设置栅极、有源层以及导电层，其中，所述栅极和所述有源层均设于所述衬底与所述导电层之间，所述导电层包括间隔设置的源极和漏极；所述导电层包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设于所述第二金属层远离所述衬底的一侧；所述第一金属层的标准电极电位低于所述第二金属层的标准电极电位，并且所述第一金属层的厚度为

对所述导电层进行蚀刻，得到源漏极层，所述源漏极层包括间隔设置的源极和漏极；

在所述源漏极层上远离所述衬底的一侧设置钝化层。

7.根据权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第二金属层的材料为铜，所述第二金属层的厚度为

8.根据权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述导电层还包括第三金属层，所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；

所述第三金属层的材料为钼钛合金、钼或钼铌合金，所述第三金属层的厚度为

9.根据权利要求6-8中任一项所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°，所述漏极的侧边与所述衬底所在平面之间的夹角为50°～70°。

10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置，所述第二基板为如权利要求1-5中任一项所述的TFT基板或者采用如权利要求6-9中任一项所述的TFT基板的制作方法制得的TFT基板；

液晶层，夹设于所述第一基板与所述第二基板之间。

11.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

驱动基板，所述驱动基板为如权利要求1-5中任一项所述的TFT基板或者采用如权利要求6-9中任一项所述的TFT基板的制作方法制得的TFT基板；

OLED器件，设置于所述驱动基板上，并且，所述OLED器件与所述驱动基板电性连接。