[发明专利]一种异质结电池的处理方法

说明书

本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。

技术领域

本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种异质结电池的处理方法。

背景技术

硅异质结电池综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点，是高效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

硅异质结电池一般以n型单晶硅片为衬底，在衬底受光面依次沉积本征掺氢非晶硅薄膜和P型掺氢非晶硅薄膜，在衬底背光面依次沉积本征掺氢非晶硅薄膜和N型掺氢非晶硅薄膜；然后,在上述结构的两侧沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)；最后，通过丝网印刷工艺结合烧结固化在透明导电氧化物薄膜的表面形成金属集电极。通常采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)工艺制备掺氢非晶硅薄膜，采用物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，简称PVD)工艺制备透明导电氧化物薄膜。

然而，硅异质结电池的非晶硅层内部存在一些缺陷和潜在缺陷，缺陷和潜在缺陷会导致电池效率发生衰减。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有异质结电池因非晶硅层内的缺陷和潜在缺陷发生效率衰减的缺陷，从而提供一种异质结电池的处理方法。

本发明提供一种异质结电池的处理方法，包括：提供异质结电池；在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。

可选的，所述静置处理的参数包括：温度为15℃-30℃，时间为320h-600h。

可选的，在所述光照处理的过程中，采用恒温加热部件对所述异质结电池进行温度控制，所述异质结电池的温度为150℃～210℃；所述光照处理的光强为20kW/m²～90kW/m²。

可选的，对所述异质结电池进行光照处理的步骤包括：对所述异质结电池的背光面进行光照处理；所述光照处理采用的光适于透过所述异质结电池中的单晶半导体层和非晶半导体层。

可选的，所述单晶半导体层为单晶硅层，所述非晶半导体层为非晶硅层。

可选的，对静置后的所述异质结电池进行光照处理的步骤包括：对所述异质结电池的受光面进行光照处理，所述光照处理采用的光适于透过所述异质结电池中的单晶半导体层和非晶半导体层。

可选的，所述单晶半导体层为单晶硅层，所述非晶半导体层为非晶硅层。

可选的，所述光照处理采用红外光。

可选的，所述红外光的波长为800nm-1200nm。

可选的，所述红外光的光源为红外激光，所述光照处理的时间为5s～15s；或者，所述红外光的光源为红外灯管，所述光照处理的时间为40s～70s。

可选的，对静置后的所述异质结电池进行光照处理的步骤包括：对所述异质结电池的受光面进行光照处理；对所述异质结电池的背光面进行光照处理。