[发明专利]一种异质结电池的处理方法

权利要求书

1.一种异质结电池的处理方法，其特征在于，包括：

提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；

将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；

进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。

2.根据权利要求1所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，所述静置处理的参数包括：温度为15℃-30℃，时间为320h-600h。

3.根据权利要求1所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，在所述光照处理的过程中，对所述异质结电池进行温度控制，使所述异质结电池的温度为150℃～210℃；所述光照处理的光强为20kW/m²～90kW/m²。

4.根据权利要求1所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，对所述异质结电池进行光照处理的步骤包括：对所述异质结电池的背光面进行光照处理；所述光照处理采用的光适于透过所述异质结电池中的单晶半导体层和非晶半导体层；

优选的，所述单晶半导体层为单晶硅层，所述非晶半导体层为非晶硅层。

5.根据权利要求1所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，对静置后的所述异质结电池进行光照处理的步骤包括：对所述异质结电池的受光面进行光照处理，所述光照处理采用的光适于透过所述异质结电池中的单晶半导体层和非晶半导体层；

优选的，所述单晶半导体层为单晶硅层，所述非晶半导体层为非晶硅层。

6.根据权利要求4或5所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，所述光照处理采用红外光；

优选的，所述红外光的波长为800nm-1200nm。

7.根据权利要求6所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，所述红外光的光源为红外激光，所述光照处理的时间为5s～15s；

或者，所述红外光的光源为红外灯管，所述光照处理的时间为40s～70s。

8.根据权利要求1所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，对静置后的所述异质结电池进行光照处理的步骤包括：

对所述异质结电池的受光面进行光照处理；

以及，对所述异质结电池的背光面进行光照处理；

其中，对所述异质结电池的受光面进行光照处理之后，对所述异质结电池的背光面进行光照处理；

或者，对所述异质结电池的背光面进行光照处理之后，对所述异质结电池的受光面进行光照处理；

或者，在对所述异质结电池的受光面进行光照处理的同时，对所述异质结电池的背光面进行光照处理。

9.根据权利要求8所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，所述光照处理的光的波长为800nm-1200nm。

10.根据权利要求1所述的异质结电池的处理方法，其特征在于，所述暗态环境的光强小于0.2kW/m²。