[发明专利]一种钽酸锂晶体头尾切割方法有效
| 申请号: | 202210250511.3 | 申请日: | 2022-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN114311350B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
| 发明(设计)人: | 徐秋峰;张忠伟;沈浩;钱煜;张伟明;汪万盾;张坚 | 申请(专利权)人: | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号: | B28D5/02 | 分类号: | B28D5/02;B28D7/04;B24C1/06;C10M169/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 314412 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 钽酸锂 晶体 头尾 切割 方法 | ||
本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种钽酸锂晶体头尾切割方法,包括以下步骤:a)对钽酸锂晶体侧面做喷砂粗糙化处理;b)使用夹具对钽酸锂晶体进行固定,采用定向仪对晶体进行定向,通过夹具侧面螺丝进行晶体位置调节以便确定晶向;c)将定向完成后的夹具安装到内圆切割机机头上,通过水平仪调整内圆切割机机头倾角,使夹具底面处于水平状态,切割晶体头部端面;d)切割完成晶体头部端面后从夹具上卸下晶体,倒置晶体后重新固定,通过水平仪调整内圆机机头倾角,使晶体头部端面达到水平状态,切割晶体尾部端面,最终获得的晶体无端面线痕、断差不良,无开裂、崩边不良,晶体晶向偏差在6′以内。
技术领域
本发明涉及压电晶体领域,具体领域为一种钽酸锂晶体头尾切割方法。
背景技术
近年来,由于高频段、多频段通信在以手机为代表的无线通信上的广泛使用,对于声表面波滤波器(SAW)的需求大幅增加,其质量要求也更高。随着声表面波技术的不断发展,声表面波器件的应用领域不断扩大,可以应用在手机、多媒体数据广播系统(如VOD等)、汽车电子、无线LAN及数字电视中,增加了SAW器件的市场需求。同时,通讯器材的小型化,要求各个部件制作更为精密,使SAW同样趋于小型化。
随着SAW器件需求的与日俱增,对晶片晶向的准确性要求也越来越高,这就要求在钽酸锂晶体加工过程中,更精确的进行晶体定向和可靠性加工。然而由于钽酸锂晶体属于压电晶体,容易出现放电现象,在切割过程中,容易出现晶体开裂的问题,切割效率和合格率低,且切割后晶向偏差较大,严重影响了钽酸锂晶体乃至后续加工晶片的品质。为了解决该问题,公告号为CN1279578C的中国专利公开一种晶体的激光定向方法,目的在于提高晶体切割后晶体定向的准确性,此发明利用晶体的恒角度原理,运用激光照射晶体自然面或其解理面,观察反射光斑的位置,参照基准块反射光斑的位置,然后判定晶体轴向的准确方向,进行上盘切割,此发明采用粘胶固定方式,过程较为繁琐;采用激光反射定向方式,需要寻找自然晶面或其解理面,对于晶体的适用性较为局限,比如钽酸锂晶体无法肉眼观察反射光斑现象;此发明对于上盘切割时具体切割方式及晶向准确性的控制未明确说明。公告号为CN108838561B的中国专利公开了一种用于晶体快速准确定向激光切割的装置及切割方法,包括切片机构、激光发射机构、与标尺机构,激光发射机构发射的激光通过玻璃镜面反射后落于标尺机构上,并且标尺机构距离玻璃镜面的距离与标尺机构的刻度间的关系能保证晶体衍射角每变动1分,激光发射机构的反射光能在标尺机构上移动一个刻度。此发明需要先切割一个平面,使用定向仪进行定向,计算晶向偏差,依靠镜面激光发射原理,通过标尺数据调整夹具偏转,再次对晶体切割得到待切割面;此发明需进行2次切割,增加了晶体切割开裂的风险,同时使用激光反射,调整夹具偏转切割方式也较直接使用内圆机机头倾角调整晶向切割方式复杂。公告号为CN1201915C的中国专利公开了一种准确定向切割晶体的方法,此方法加工铌酸锂晶体时先将晶体的x、y、z轴用X光定向好,再把晶体的x面(或z面)粘在玻璃托上用螺丝将玻璃托固定在刀板上。将一片5毫米平方的平行玻璃片用真空脂贴在y面上,将刀板安装到机器上调整方向,使激光束照在玻璃片上的反射点在屏幕上的垂直位移按 tg2θ=Y/L计算。再将该光点沿水平方向移动相应距离,固定后切出的晶片的法线就是要求的晶向。此方法需要寻找X、Y、Z轴晶向,通过激光反射计算位移,调整晶体偏转,操作过程复杂,且X、Y面的固定玻璃片实际过程中较难准确固定,容易出现晶向偏差。本发明通过专用夹具进行晶体位置调节和固定,以确定晶向,稳定性好,晶向准确性高,同时晶体定向后,晶体与夹具底面水平面存在固定的空间位置关系,通过水平仪调整晶体偏转,可直接切割任何需求角度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种钽酸锂晶体头尾切割方法。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种钽酸锂晶体头尾切割方法,包括以下步骤:
a)将钽酸锂晶体表面使用酒精擦洗干净,放置于喷砂机上,晶体侧面做喷砂粗糙化处理,喷砂频率为40-50 Hz,转动晶体使晶体侧面均匀喷涂;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天通控股股份有限公司,未经天通控股股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210250511.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:纸膜覆合设备
- 下一篇:针对超大规模电路设计分割的数据处理系统





