[发明专利]一种钽酸锂晶体头尾切割方法

权利要求书

1.一种钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

a）对钽酸锂晶体侧面做喷砂粗糙化处理；

b）将钽酸锂晶体固定在夹具上，采用定向仪对晶体进行定向，确定晶体晶向时，通过夹具底面的水平仪，使夹具底面处于水平状态，然后采用4向8位置固定调节方式转动晶体进行晶体位置调节，完成晶体定向，此时，晶体与夹具底面水平面存在固定的空间位置关系；

c）晶体定向完成后，将夹具安装到内圆切割机机头上，此时通过夹具底面的水平仪，调整内圆切割机机头倾角，使夹具底面处于水平状态，晶体与夹具底面水平面间仍存在与步骤b)中相同的固定空间位置关系，切割机内圆切刀始终处于水平状态，此时对晶体头部端面进行水平切割，是在目标晶向的基础上进行晶体头部端面的内圆切割的，内圆切割机刀片目数为#150-#250，进刀速度为0.4-0.5mm/min；

d）将步骤c中完成头部端面切割的晶体从夹具上卸下，倒置晶体后重新固定，通过水平仪调整内圆机机头倾角，使晶体头部端面达到水平状态，切割机内圆切刀始终处于水平状态，此时对晶体尾部端面进行水平切割，是在目标晶向的基础上进行晶体尾部端面的内圆切割的，内圆切割机刀片目数为#150-#250，进刀速度为0.4-0.5mm/min，最终获得的晶体无端面线痕、断差不良，无开裂、崩边不良，晶体晶向偏差在6′以内。

2.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：所述步骤a）中，使用SiC砂对晶体进行粗糙化处理，目数为#40-#50，喷砂频率为40-50Hz。

3.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：所述夹具侧面在4向8位置上设有螺丝，通过螺丝可将晶体固定在夹具上，也可采用4向8位置固定调节方式转动晶体进行晶体位置调节，夹具与晶体侧面接触部分采用橡胶片缓冲。

4.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：所述步骤c）中，通过燕尾槽将夹具固定在内圆切割机上。

5.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：所述步骤c）中，内圆切割机主轴转数为1300-1500rpm。

6.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：所述步骤c）和步骤d）中，在切割时，开启切削液喷口，对准切割处喷淋切削液，切削液组成成分及其质量分数为环烷油35%~45%，石蜡油25%~30%，聚乙二醇单油酸酯20%~30%，膨润土20%~30%，磺酸钡盐8%~10%。

7.根据权利要求1-6任一所述的钽酸锂晶体头尾切割方法，其特征在于：所述水平仪是数显水平仪。