[发明专利]一种类金刚石薄膜的制备方法

说明书

本申请公开了一种类金刚石薄膜的制备方法，所述类金刚石薄膜的制备方法包括如下步骤：衬底制备，将硅衬底表面利用除垢剂和酒精擦拭，减少硅衬底表面的脏污；置入样品，将处理后的样品和衬底放置在固定架上固定；试剂配制；试剂检验，取出制备容器内部的试剂进行检验，对试剂内部的各离子含量进行检测，对不合格的试剂进行调配；电压辅助；薄膜制备。对台区损耗特征的分析，筛选出主要电参数和非电器特征参数；对衬底和样品进行预处理，减少制备时的干扰，提高制备效果；固定架上可稳定放置衬底和样品，保持衬底和样品的连接，试剂浸没样品，保持制备正常进行；试剂配制时经过检验和调节，保证内部的离子含量，可加速类金刚石薄膜的形成。

技术领域

本申请涉及类金刚石薄膜领域领域，尤其是一种类金刚石薄膜的制备方法。

背景技术

类金刚石薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料，兼具了金刚石和石墨的优良特性，而具有高硬度。高电阻率。良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。

现有技术中衬底和样品表面带有脏污影响制备效果，制备容器内部的衬底和样品不易连接，试剂液面较低，影响制备进行，且试剂内部离子含量不易调节，影响类金刚石薄膜形成速度。因此，针对上述问题提出一种类金刚石薄膜的制备方法。

发明内容

在本实施例中提供了一种类金刚石薄膜的制备方法用于解决现有技术中数据采集处理工作量大、精度较差，计算线损时，准确程度不高，未采用分级监测，影响线损数据处理的精准程度的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种类金刚石薄膜的制备方法，所述类金刚石薄膜的制备方法包括如下步骤：

(1)衬底制备，将硅衬底裁剪成合适的大小，将硅衬底表面利用除垢剂和酒精擦拭，减少硅衬底表面的脏污；

(2)置入样品，在制备容器内放置衬底和样品的固定架，将处理后的样品和衬底放置在固定架上固定，避免样品的掉落；

(3)试剂配制，利用碳源+电解质+水配制一定比例的电解液，形成制备所需的试剂，将试剂搅拌混合均匀，静置1-3min；

(4)试剂检验，取出制备容器内部的试剂进行检验，对试剂内部的各离子含量进行检测，对不合格的试剂进行调配，直至试剂内部的各离子含量达到预定标准；

(5)电压辅助，在制备容器内部放入温度计，对试剂的温度进行监测，当试剂温度过高时，对试剂进行降温，启动电源，施加100-350V的电压，进行制备反应；

(6)薄膜制备，经过施加电压反应后，制备容器内部经过沉积可形成类金刚石薄膜。

进一步地，所述步骤(1)中在对衬底清洁的同时，采用酒精和纯净水对样品表面进行清理，保证样品表面的清洁。

进一步地，所述步骤(2)中在固定架上碳板和样品分别作为制备容器内部的阳极和阴极，在样品底部一侧设置硅衬底。

进一步地，所述步骤(2)中样品和硅衬底之间设置有固定夹，可保持硅衬底和样品的连接，避免薄膜在制备时硅衬底的掉落。

进一步地，所述步骤(3)中电解液内部的含有的离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁J基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-Z基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐或N-乙基吡啶六氟磷酸盐。

进一步地，所述步骤(3)中采用搅拌机对混合后的试剂进行搅拌，保证试剂的均匀混合。

进一步地，所述步骤(4)中，当所述试剂内部含有1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐或1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐时，所述试剂溶液的体积浓度为20～30％；当所述试剂液体为1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐或N-乙基吡啶六氟磷酸盐时，所述试剂溶液的质量浓度为20～30％。