[发明专利]嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法在审
申请号: | 202210237171.0 | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN114758958A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 方立志 | 申请(专利权)人: | 艾司博国际有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485;H01L23/488 |
代理公司: | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人: | 杨润 |
地址: | 中国香港九龙旺角弥敦道721*** | 国省代码: | 香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入 传感器 显示 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
本发明公开嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法,涉及半导体加工技术领域,包括步骤一:制作芯片级封装;步骤二:制作扇出型封装;步骤三:将若干个芯片级封装与第一玻璃载具进行黏附组装;步骤四:在各个扇出型封装的外侧加工第二压模树脂层,在第二压模树脂层制作若干个对应各个扇出型封装的第三RDL层,最上层第三RDL层的接点处设置有第三铜凸块,在第三铜凸块处植锡球,得到初始产品;步骤五:将第一玻璃载具分离,再将初始产品切成单颗。本发明将复数个芯片级封装嵌入于压模树脂,因为复数个芯片级封装的共面性,不会因后续制程而改变良好的共面性,并且因为多芯片封在同一封装体,可以使系统的体积缩小。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体为嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法。
背景技术
目前用于多芯片传感器或显示器的封装方式,主要将单颗传感器或显示器芯片封在芯片级封装内,芯片上表面覆盖保护玻璃,芯片有TSV,将上层信号导到下层,芯片下表面有RDL及锡铜凸块,芯片级封装再堆栈在封有控制器或处理器的扇出型封装上。再将复数颗堆栈的封装焊在电路板上。
显示器芯片有红绿蓝(RGB)三种颜色像素(pixel)的发光芯片,各自发射三种光线像素到屏幕,调和成各种颜色像素的影像,三种不同的发光芯片,有各自的驱动芯片及控制芯片,各发光芯片前有光学镜片将光线像素聚集在屏幕上,各光芯片间的共面性很重要,好的共面性,三种颜色像素才能正确的重迭,呈现清晰的画质。不好的共面性,三种颜色像素无法正确的重迭,调和出的颜色不对,画质模糊,并且影像传感器芯片也有同样的问题。
前传感器或显示器的封装是三种颜色各自独立的,因此很难控制共面性,造成产品的良率不高。
发明内容
本发明的目的在于提供嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法,解决以下技术问题:
如何将多芯片传感器或显示器芯片封在同一封装体内,并且缩小系统的体积。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
嵌入传感器或显示芯片的封装方法,包括以下步骤:
步骤一:制作芯片级封装:将晶圆表面特定位置涂胶处理,再将晶圆倒装黏在第三玻璃载具一侧,将第三玻璃载具的另一侧张贴保护胶带,对其进行保护,防止第三玻璃载具在制程时被刮伤;
在晶圆侧面制作TSV,作为芯片上、下表面的信号连接,再在晶圆远离第三玻璃载具的一侧制作若干个的第四RDL层,最后在最上侧的RDL层接点处电镀出锡铜凸块;
再撕下保护胶带,将晶圆和第三玻璃载具切成单颗,得到芯片级封装,并且在传感器或显示器芯片上,有玻璃保护;
步骤二:制作扇出型封装:在第二玻璃载具的上侧涂抹黏胶,形成第二黏胶层,在第二黏胶层上侧制作第一面锡铜接点及若干个的第一RDL层,在最上侧的第一RDL层上侧设置有若干个铜柱,最上侧的第一RDL层上侧黏附有晶片体,即传感器或显示器的驱动芯片或控制芯片,晶片体上侧设置有第一铜凸块,在第一RDL层的上侧压模灌出包裹在铜柱和晶片体外侧的第一压模树脂层;
步骤三:研磨第一压模树脂层,将铜柱和第一铜凸块露出达到设计的厚度,露出的厚度通过调整研磨第一压模树脂层的厚度进行调整;
步骤四:在第一压模树脂层的上侧制作若干个的第二RDL层,最上侧的第二RDL层为第二面接点,并在最上侧的第二RDL层接点处设置有位于第二面接点上侧的第二铜凸块,随后将第二黏胶层解离,将第一RDL层与第二玻璃载具分离,移除玻璃载具,切成单颗,得到扇出型封装;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾司博国际有限公司,未经艾司博国际有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210237171.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造