[发明专利]嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法

权利要求书

1.嵌入传感器或显示芯片的扇出封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：制作芯片级封装(3)，并在芯片级封装(3)的上侧加工出锡铜凸块；

步骤二：制作扇出型封装(4)，并在扇出型封装(4)上、下两侧分别加工出第二面接点和第一面锡铜接点，在第二面接点的上侧加工出第二铜凸块(49)；

步骤三：将若干个芯片级封装(3)与第一玻璃载具(1)进行黏附组装，将各个扇出型封装(4)的第一面锡铜接点对齐对应芯片级封装(3)的锡铜凸块，焊接形成电性导通；

步骤四：在各个芯片级封装(3)和扇出型封装(4)的外侧加工第二压模树脂层(5)，在第二压模树脂层(5)制作若干个对应各个扇出型封装(4)的第三RDL层(6)；

步骤五：将第一玻璃载具(1)分离，再将复数颗芯片级封装(3)和扇出型封装(4)为一组单位切成单颗。

2.根据权利要求1所述的嵌入传感器或显示芯片的扇出封装方法，其特征在于，所述步骤四中最上层第三RDL层(6)的接点处设置有第三铜凸块(7)，第三铜凸块(7)处植有锡球。

3.根据权利要求1所述的嵌入传感器或显示芯片的扇出封装方法，其特征在于，所述扇出型封装(4)的加工方法，包括以下步骤：

B1：在第二玻璃载具(46)的上侧涂抹黏胶，形成第二黏胶层(47)；

B2：在第二黏胶层(47)上侧制作第一面锡铜接点及若干个的第一RDL层(41)，在最上侧的第一RDL层(41)上侧设置有若干个铜柱(43)，最上侧的第一RDL层(41)上侧黏附有晶片体(42)；

B3：在第一RDL层(41)的上侧压模灌出包裹在铜柱(43)和晶片体(42)外侧的第一压模树脂层(48)；

B4：在第一压模树脂层(48)的上侧制作若干个的第二RDL层(44)，最上侧的第二RDL层(44)为第二面接点，并在最上侧的第二RDL层(44)接点处设置有位于第二面接点上侧的第二铜凸块(49)；

B5：将第二黏胶层(47)解离，将第一RDL层(41)与第二玻璃载具(46)分离，移除玻璃载具，切成单颗。

4.嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构，包括若干个所述芯片级封装(3)和若干个扇出型封装(4)，其特征在于，所述芯片级封装(3)的上侧设置有向上分布的锡铜凸块；

所述扇出型封装(4)的上、下两侧分别设置有第二面接点和第一面锡铜接点，所述第一面锡铜接点与芯片级封装(3)的锡铜凸块焊接电性导通；

若干个芯片级封装(3)和若干个外侧扇出型封装(4)的外侧设置有第二压模树脂层(5)，所述第二面接点的上侧设置有若干个延伸至第二压模树脂层(5)上侧的第二铜凸块(49)；

所述第二压模树脂层(5)的上侧设置有与第二铜凸块(49)相连的第三RDL层(6)，所述第三RDL层(6)的最上侧设置有若干个第三铜凸块(7)，若干个第三铜凸块(7)的外侧植锡球。

5.根据权利要求4所述的嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构，其特征在于，所述扇出型封装(4)包括设置在第一面锡铜接点上侧的若干个第一RDL层(41)，最上侧的第一RDL层(41)上侧设置有若干个铜柱(43)，最下侧的第一RDL层(41)设置有锡铜凸块，若干个铜柱(43)之间设置有与最上侧第一RDL层(41)黏附的晶片体(42)。

6.根据权利要求5所述的嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构，其特征在于，所述晶片体(42)的侧面设置有若干个朝上分布的第一铜凸块(45)。

7.根据权利要求6所述的嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构，其特征在于，所述第一RDL层(41)的上侧设置有覆盖在晶片体(42)和若干个铜柱(43)外侧的第一压模树脂层(48)，若干个所述铜柱(43)和若干个第一铜凸块(45)均延伸至第一压模树脂层(48)的外侧。

8.根据权利要求7所述的嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构，其特征在于，所述第一压模树脂层(48)的上侧设置有若干个覆盖在若干个铜柱(43)和若干个第一铜凸块(45)外侧的第二RDL层(44)，若干个所述第二铜凸块(49)设置有在最上层的第二RDL层(44)上侧。