[发明专利]半导体结构

说明书

半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一导电部件的宽度与第二导电部件的宽度不同，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体产业引入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路(integratedcircuits，IC)，形成集成电路的元件的密度增加，而部件或元件之间的尺度、尺寸和间距缩减。半导体产业通过不断缩减最小部件尺寸来持续提升各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多部件整合至给定区域中

然而，整合制造也使得不同装置之间的部件特性的调整更加困难。举例来说，不同装置的寄生电阻及/或寄生电容很难在具有不同金属尺寸的装置之间妥协。

因此，本领域需要提供一种能够解决上述问题的改进装置。

发明内容

根据一些实施例提供半导体结构。此半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一导电部件的宽度与第二导电部件的宽度不同，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。

根据一些实施例提供半导体结构。此半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一栅极结构的宽度大致等于第二栅极结构的宽度，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。

根据一些实施例提供半导体结构的形成方法。此方法包含在基底的第一区中形成多个第一虚设栅极结构并在基底的第二区中形成多个第二虚设栅极结构。在相邻的第一虚设栅极结构之间形成第一间隙，并在相邻的第二虚设栅极结构之间形成第二间隙，第一间隙小于第二间隙。在多个第一虚设栅极结构、多个第二虚设栅极结构和基底上方形成间隔层。对第一区中的间隔层进行薄化操作。在相邻的第一虚设栅极结构之间的基底上形成第一源极/漏极部件，并在相邻的第二虚设栅极结构之间的基底上形成第二源极/漏极部件。用多个第一栅极结构取代多个第一虚设栅极结构，并且用多个第二栅极结构取代多个第二虚设栅极结构。在相邻的第一栅极结构之间的第一源极/漏极部件上形成第一导电部件，并在相邻的第二栅极结构之间的第二源极/漏极部件上形成第二导电部件。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本发明实施例的面向。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1～图13是根据一些实施例的制造半导体结构的各个阶段的剖面侧视图。

图14～图22是根据一些实施例的制造另一半导体结构的各个阶段的剖面侧视图。

图23～图26是根据一些实施例的制造另一半导体结构的各个阶段的剖面侧视图。