[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202210237087.9 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114975256A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林大钧;潘国华;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，包括：
一第一半导体装置，形成在一基底上方，包括：
一第一源极/漏极部件，在该基底上方；
一第一栅极结构，在该基底上方；
一第一导电部件，在该第一源极/漏极部件上方；以及
一第一绝缘层，在该第一栅极结构和该第一导电部件之间；以及
一第二半导体装置，形成在该基底上方，包括：
一第二源极/漏极部件，在该基底上方；
一第二栅极结构，在该基底上方；
一第二导电部件，在该第二源极/漏极部件上方；以及
一第二绝缘层，在该第二栅极结构和该第二导电部件之间；
其中该第一导电部件的宽度与该第二导电部件的宽度不同，并且该第一绝缘层的宽度小于该第二绝缘层的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
