[发明专利]一种高介电高击穿钛酸锶陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种高介电高击穿钛酸锶陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：

制备钛酸锶陶瓷坯体；

将所述钛酸锶陶瓷坯体加热至1100℃，并在1100℃的温度下保温30min；

对保温后的所述钛酸锶陶瓷坯体的两端施加强度为250V/cm的恒压电场，直至发生闪烧，然后控制电流密度增大至30mA/mm²并继续闪烧，30S后结束闪烧，即得高介电高击穿钛酸锶陶瓷；

所述制备钛酸锶陶瓷坯体包括：

以碳酸锶和二氧化钛为原料制备钛酸锶陶瓷粉体；

对所述钛酸锶陶瓷粉体依次进行二次球磨、二次干燥、过筛和压制，即得钛酸锶陶瓷坯体；

所述制备钛酸锶陶瓷坯体还包括：

对所述钛酸锶陶瓷坯体进行冷等静压处理，所述冷等静压的压力控制为200Mpa，保压时间为3min；

所述以碳酸锶和二氧化钛为原料制备钛酸锶陶瓷粉体包括：

按照钛酸锶的化学计量比称取碳酸锶和二氧化钛原料，然后将碳酸锶和二氧化钛原料与氧化锆球石、去离子水按质量比1:3:1进行混合球磨12h；

将球磨后的混合原料在80℃的温度下进行干燥，然后置于1200℃的温度下煅烧2h，即得钛酸锶陶瓷粉体；

对所述钛酸锶陶瓷粉体进行二次球磨的时间为12h；二次干燥的温度为80℃；

对所述钛酸锶陶瓷粉体进行过筛的标准目数为120目；

所述钛酸锶陶瓷坯体加热的升温速率为10℃/min。

2.根据权利要求1所述的高介电高击穿钛酸锶陶瓷的制备方法，其特征在于，所述高介电高击穿钛酸锶陶瓷的击穿强度为370kV/cm；储能密度为2.21J/cm³。

3.根据权利要求1所述的高介电高击穿钛酸锶陶瓷的制备方法，其特征在于，所述高介电高击穿钛酸锶陶瓷在1kHz下的介电常数为380，介电损耗为0.008。