[发明专利]氯硅烷渣浆的处理方法和装置

说明书

本发明公开了一种氯硅烷渣浆的处理方法和装置，处理方法包括：收集冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆；将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆；将闪蒸渣浆进行沉降，得到上清液和沉降渣浆；将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分；将上清液与液相组分混合得到混合液，将混合液进行除铝；将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物；将裂解产物进行分离。通过处理方法可以实现氯硅烷渣浆的回收利用，降低回收成本，提高资源利用率，减少环境污染。

技术领域

本发明属于有机硅技术领域，具体涉及一种氯硅烷渣浆的处理方法和装置。

背景技术

在多晶硅生产过程(包括冷氢化、氯氢化和还原工艺过程)中，会产生部分的氯硅烷聚合物，主要包含由含有Si-C、Si-Si、Si-C-Si、Si-O-Si键的化合物，比如，采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆，这部分副产不易直接回收利用，通常连同废渣等固体杂质一起排出，进行粗放水解处理，造成资源的浪费及环境问题。现有氯硅烷高沸物的回收过程能耗高，回收成本高，无法满足工业化生产需求。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种氯硅烷渣浆的处理方法和装置，用以解决采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆不易直接回收利用，易造成资源浪费及环境问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆的处理方法，包括：

收集冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆；

将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆；

将闪蒸渣浆进行沉降，得到上清液和沉降渣浆；

将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分；

将上清液与液相组分混合得到混合液，将混合液进行除铝；

将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物；

将裂解产物进行分离。

其中，将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆的步骤包括：

将氯硅烷渣浆在温度为60-80℃且压力为0.05-0.15Mpa下进行闪蒸，得到闪蒸渣浆。

其中，将上清液与液相组分混合得到混合液的步骤包括：

将上清液进行过滤，并将过滤后的上清液与液相组分进行混合得到混合液。

其中，将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分的步骤包括：

将沉降渣浆进行干燥分离得到气相组分；

将气相组分冷凝得到液相组分。

其中，将气相组分冷凝得到液相组分的步骤包括：

将气相组分进行过滤；

将过滤后的气相组分进行冷凝得到液相组分。

其中，将混合液进行除铝的步骤包括：

将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物；

将氯硅烷高沸物进行除铝。

其中，将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物的步骤包括：

将混合液在温度为60-80℃且压力为0.1-0.5Mpa下进行蒸发得到氯硅烷高沸物。

其中，将氯硅烷高沸物进行除铝的步骤包括：

将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物；

将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分；