[发明专利]氯硅烷渣浆的处理方法和装置

权利要求书

1.一种采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆的处理方法，其特征在于，包括：

收集冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆；

将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆；

将闪蒸渣浆进行沉降，得到上清液和沉降渣浆；

将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分；

将上清液与液相组分混合得到混合液，将混合液进行除铝；

将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物；

将裂解产物进行分离。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆的步骤包括：

将氯硅烷渣浆在温度为60-80℃且压力为0.05-0.15Mpa下进行闪蒸，得到闪蒸渣浆。

3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将上清液与液相组分混合得到混合液的步骤包括：

将上清液进行过滤，并将过滤后的上清液与液相组分进行混合得到混合液。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分的步骤包括：

将沉降渣浆进行干燥分离得到气相组分；

将气相组分冷凝得到液相组分。

5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，将气相组分冷凝得到液相组分的步骤包括：

将气相组分进行过滤；

将过滤后的气相组分进行冷凝得到液相组分。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将混合液进行除铝的步骤包括：

将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物；

将氯硅烷高沸物进行除铝。

7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物的步骤包括：

将混合液在温度为60-80℃且压力为0.1-0.5Mpa下进行蒸发得到氯硅烷高沸物。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将氯硅烷高沸物进行除铝的步骤包括：

将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物；

将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分；

将气态轻组分进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物；

将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物的步骤包括：

将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢进行裂解，得到裂解产物。

9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物的步骤包括：

将氯硅烷高沸物在温度为60-80℃且压力为0.1-0.5Mpa下进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物；

将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分的步骤包括：

将一次除铝的氯硅烷高沸物在温度为100-160℃且压力为0.2-0.5Mpa下进行蒸发，得到气态轻组分；

将气态轻组分进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物的步骤包括：

将气态轻组分在温度为100-160℃且压力为0.2-0.5Mpa下进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物。

10.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢进行裂解，得到裂解产物的步骤包括：

将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢在催化剂作用下进行裂解，得到裂解产物；

其中，所述催化剂包括含有季胺基的苯乙烯聚合物、含有季胺基的二乙烯苯聚合物、负载有镍的活性炭、负载有钯的活性炭和负载有铜的活性炭中的至少一种。