[发明专利]半导体存储装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1存储晶体管；

第1晶体管，与所述第1存储晶体管的栅电极电连接；

第1电压供给线，经由所述第1晶体管而与所述第1存储晶体管的栅电极电连接；

第1信号供给线，与所述第1晶体管的栅电极电连接；

第1电容器，以不经由所述第1晶体管的方式与所述第1存储晶体管的栅电极电连接；及

第1布线，经由所述第1电容器而连接于所述第1存储晶体管的栅电极与所述第1晶体管之间的电流路径，

在对于所述第1存储晶体管的写入动作的第1定时下，所述第1电压供给线的电压是第1电压，所述第1信号供给线的电压是第2电压，所述第1布线的电压是第3电压，

在对于所述第1存储晶体管的写入动作的比所述第1定时靠后的第2定时下，所述第1信号供给线的电压从所述第2电压下降为比所述第2电压小的第4电压，

在对于所述第1存储晶体管的写入动作的比所述第2定时靠后的第3定时下，所述第1布线的电压从所述第3电压上升为比所述第3电压大的第5电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

存储串，包括所述第1存储晶体管及第2存储晶体管；

第2晶体管，与所述第2存储晶体管的栅电极电连接；

第2电压供给线，经由所述第2晶体管而与所述第2存储晶体管的栅电极电连接；及

第2电容器，以不经由所述第2晶体管的方式与所述第2存储晶体管的栅电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

从对于所述第1存储晶体管的写入动作的所述第1定时到所述第3定时，所述第2电压供给线的电压被维持为比所述第1电压小的第6电压。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，具备：

半导体基板；

多个第1导电层，在与所述半导体基板的表面交叉的第1方向上排列；

第1半导体柱，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层相对；及

第1电荷蓄积膜，设置于所述多个第1导电层与所述第1半导体柱之间，

所述多个第1导电层包括作为所述第1电容器的一方的电极发挥功能的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，具备：

第2半导体柱，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层相对；及

第2电荷蓄积膜，设置于所述多个第1导电层与所述第2半导体柱之间，

所述第2半导体柱包括作为所述第1电容器的另一方的电极发挥功能的部分。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，

具备在与所述第1方向交叉的第2方向上排列的第1区域及第2区域，

所述第1区域包括：

所述第1半导体柱；及

所述第1电荷蓄积膜，

所述第2区域包括：

多个接触电极，在所述第1方向上延伸，分别连接于所述多个第1导电层；及

第2导电层，与所述多个第1导电层相对，

所述第2导电层包括作为所述第1电容器的另一方的电极发挥功能的部分。